9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSS88，该产品在9icnet现场销售，可以通过原始工厂和代理商等渠道购买。BSS88价格参考值0.13000美元。Infineon Technologies BSS88封装/规格：N信道增强IGBT。您可以下载BSS88英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSS87H6327FTSA1是MOSFET N-Ch 240V 260mA SOT-89-3，包括BSS87系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于BSS87 H6327 SP001047646，提供单位重量功能，如0.004603 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-89-4封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27.3 ns，上升时间为3.5 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为260mA，Vds漏极-源极击穿电压为240V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.2V，Rds导通漏极-电源电阻为3.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.6ns，典型接通延迟时间为3.7ns，Qg栅极电荷为3.7nC，并且前向跨导Min为0.16S，并且信道模式为增强。
带有用户指南的BSS87H6327XTSA1，包括第800 mV Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于240 V，提供单位重量功能，如0.004603 oz，典型开启延迟时间设计为3.7 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，器件的上升时间为3.5ns，漏极-源极电阻Rds为6欧姆，Qg栅极电荷为3.7nC，Pd功耗为1W，部件别名为BSS87 H6327 SP001195034，封装为卷筒，封装外壳为SOT-89-4，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为260 mA，正向跨导最小值为160 mS，下降时间为27.3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
BSS87E6327是INFINEON制造的MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89。BSS87E6327采用TO-243AA封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89、N沟道240V 260MA（Ta）1W（Ta）表面安装PG-SOT89-4-2。
BSS87L6327，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BSS87L6327在SOT89封装中提供，是FET的一部分-单个。
