9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLUS3C18PZTAG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTLUS3C18PZTAG参考价格为10.752美元。onsemi NTLUS3C18PZTAG封装/规格：MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN。您可以下载NTLUS3C18PZTAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTLUD3A50PZTAG是MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN，包括NTLUD3A50PZ系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-UDFN暴露焊盘，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备采用6-UDFN（2x2）供应商设备包提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为500mW，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为920pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.8A，最大Id Vgs的Rds为50 mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.4nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-5.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为0.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为10.4nC，并且正向跨导Min为16S。
NTLUF4189NZTAG是MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN，包括1.1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在8 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间特性，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为10.2 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为NTLUF4189NZ系列，该器件的上升时间为4.5 ns，漏极-源极电阻Rds为145 mOhms，Qg栅极电荷为1.4 nC，Pd功耗为1.3 W，封装为卷轴式，封装盒为UDFN-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为1.5 A，正向跨导最小值为1.1 S，下降时间为1.2 ns，配置为单一。
NTLUD3A260PZTBG是MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6，包括双配置，它们设计为在1.3A电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于20V，提供FET功能，如逻辑电平门，FET类型设计为在2 P通道（双）中工作，以及4.2nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作300pF@10V输入电容Cis-Vds，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件具有安装型表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围在-55°C~150°C（TJ），封装外壳为6-UFDFN暴露焊盘，封装为磁带和卷轴（TR），Pd功耗为0.8W，最大功率为500mW，Rds On Max Id Vgs为200mOhm@2A，4.5V，系列为NTLUD3A260P，供应商设备封装为6-UDFN（1.6x1.6），Vgs th Max Id为1V@250μA。
NTLUD3A50PZTBG具有EDA/CAD模型，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为表面安装安装型，技术如数据表注释所示，用于Si，提供NTLUD3A50PZ等系列功能，FET功能设计用于逻辑电平门，以及920pF@15V输入电容Cis-Vds，该装置也可以用作6-UDFN暴露垫封装盒。此外，供应商设备包为6-UDFN（2x2），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），设备的最大功率为500mW，Rds On Max Id Vgs为50 mOhm@4A，4.5V，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为2.8A，FET类型为2 P通道（双通道），Vgs th Max Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为10.4nC@4.5V。
