9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMC8588A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMC8588A参考价格为9.648美元。onsemi FDMC8588A封装/规格：MOSFET N-CH。您可以下载FDMC8588A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMC8554是MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33，包括卷轴封装，它们设计用于单位重量为0.007408盎司的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如MLP-8，技术设计用于Si，以及1通道通道数，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为20伏，Rds漏极-源极电阻为3.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为24nC 44nC，正向跨导最小值为62S，沟道模式为增强。
FDMC8462是MOSFET N-CH 40V 14A POWER33，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001133盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为27 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在4 ns上升时间内提供，器件具有5.8 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为15 nC 30 nC，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装外壳为MLP-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为14 A，下降时间为3 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
FDMC8588是MOSFET N-CH 25V 40A 8-MLP，包括17 A Id连续漏极电流，设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于Power-33-8的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Pd功耗等封装功能，设计用于2.4 W，以及12 nC Qg栅极电荷，该器件也可以用作5.7毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.001133盎司，Vds漏极-源极击穿电压为25 V。
FDMC8360LET40具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装。
