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FDMF3030是模块DRMOS 50A 40-PQFN，包括PowerTrenchR、SyncFET？系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于高端/低端，提供封装功能，如Digi-ReelR交替封装，单位重量设计为0.007901盎司，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可作为40 PowerTFQFN封装盒使用。此外，该技术为DrMOS，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备具有安装型表面安装，特点为自举电路、二极管仿真、状态标志，应用为同步降压转换器，接口为PWM，电压供应为4.5V~5.5V，供应商设备包为40-PQFN（6x6），配置为非反相，电流输出通道为50A，故障保护为过温、穿透、UVLO，输出配置为半桥，负载类型为电感，Rds On Typ为900 mOhm LS，800 mOhm HS，电压负载为3 V~24 V，最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围为-40℃，工作电源电流为2 mA，输出电流为50 A，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为4.5 V，驱动器数量为2个驱动器。
FDME905PT是MOSFET P-CH 12V 6-UMLP，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001058盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作22mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为700 mW，该器件采用卷筒封装，该器件具有封装外壳的microFET-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为8 a，配置为单通道。
FDME910PZT是MOSFET P CH 20V 8A MICROFET，包括-8 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于MICROFET-6，以及卷筒封装，该器件也可以用作2.1W Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的P沟道，单位重量为0.001058盎司，Vds漏极源极击穿电压为-20V。
