FDMF6707C部件是由ON制造的超小型、高性能、高频DrMOS模块,可在9icnet Electronics购买。在这里,您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的FDMF6707C组件经过精心挑选,经过严格的质量控制,并成功满足所有要求的标准。
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FDMF6706C是DRMOS 40A 1000KHZ 40PQFN模块,包括XS?DrMOS系列,它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品,类型如数据表注释所示,用于高端/低端,提供Digi-ReelR交替封装等封装功能,单位重量设计为0.007901盎司,以及SMD/SMT安装类型,该器件也可作为40 PowerTFQFN封装盒使用。此外,该技术为DrMOS,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),该设备具有安装型表面安装,特点为自举电路、状态标志,应用为同步降压转换器,接口为PWM,电压供应为4.5V~5.5V,供应商设备包为40-PQFN(6x6),配置为非反相,电流输出通道为40A,故障保护为过温、穿透、UVLO,输出配置为半桥,负载类型为电感,Rds On Typ为1欧姆LS,1欧姆HS,电压负载为3 V ~ 15 V,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-40 C,输出电压为1 V,工作电源电流为2mA,输出电流为40A,下降时间为11ns,上升时间为12ns,电源电压Max为5.5V,电源电压Min为4.5V,驱动器数量为2个驱动器。
FDMF6707B是DRMOS 50A 300KHZ 40PQFN模块,包括4.5 V~5.5 V电源,设计用于在3 V~15 V电压负载下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.007901盎司,提供高侧/低侧等类型功能,技术设计用于DRMOS,以及4.5 V电源电压最小值,该设备也可以用作5.5 V最大电源电压。此外,供应商设备包为40-PQFN(6x6),该设备以XS?DrMOS系列,器件具有6 ns的上升时间,Rds On Typ为1欧姆LS,1欧姆HS,产品为MOSFET栅极驱动器,封装为Digi-ReelR交替封装,封装外壳为40 PowerTFQFN,输出电压为12 V,输出电流为50 a,输出配置为半桥,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),工作电源电流为2 mA,驱动器数量为2个驱动器,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-40 C,最大工作温度范围+125 C,负载类型为感应式,接口为PWM,功能为自举电路、状态标志、,故障保护为过温、击穿、UVLO,下降时间为5ns,电流输出通道为50A,配置为非反相,应用为同步降压转换器。
FDMF6706B是DRMOS 45A 40-PQFN模块,包括同步降压转换器应用,它们设计用于非反相配置,数据表注释中显示了43A中使用的电流输出通道,该43A提供了5 ns等下降时间功能,故障保护设计用于超温、穿透、UVLO以及自举电路,状态标志功能,该设备也可用作PWM接口。此外,负载类型为感应式,其最大工作温度范围为+125℃,最小工作温度范围-40℃,安装类型为表面安装,安装方式为SMD/SMT,驱动器数量为2个驱动器,工作电源电流为2 mA,工作温度范围-55°C~150°C(TJ),输出配置为半桥,输出电流为45A,封装外壳为40PowerTFQFN,封装为Digi-ReelR交替封装,产品为MOSFET栅极驱动器,Rds On Typ为1欧姆LS,1欧姆HS,上升时间为6ns,系列为XS?DrMOS,供应商设备包为40-PQFN(6x6),电源电压最大值为5.5 V,电源电压最小值为4.5 V,技术为DrMOS,类型为高压侧/低压侧,单位重量为0.007901 oz,电压负载为3 V ~ 15 V,电压供应为4.5 V ~ 5.5 V。