FDMF6840C-F013
- 描述:负载的类型: 归纳 技术: DrMOS 输出配置: 半桥 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 40-PQFN (6x6) 安装类别: 表面安装
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 28.71918 | 86157.55500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥28.71919
-
数量:
- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输出配置 半桥
- 应用及使用 同步降压转换器
- 连接口 PWM
- 负载的类型 归纳
- 技术 DrMOS
- 峰值输出电流 -
- 电源电压 4.5伏~5.5伏
- 负载电压 3V～16V
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 故障保护 超温、穿透、UVLO
- 安装类别 表面安装
- 输出电流 / 通道 50A
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 特点 引导电路，状态标志
- 供应商设备包装 40-PQFN (6x6)
- 包装/外壳 40-TFQFN外露衬垫
- 典型导通电阻 1欧姆 LS + HS
FDMF6840C-F013 产品详情
Fairchild的FDMF6840高频DrMOS模块是下一代完全优化的超紧凑集成MOSFET+驱动器功率级解决方案，适用于高电流、高频、同步降压DC-DC应用。他们将一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管集成到一个热增强、超紧凑的6x6mm封装中。通过集成方法，在驱动器和MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS（ON）方面优化了整个开关功率级。XS DrMOS使用Fairchild的高性能PowerTrench� MOSFET技术，它大大减少了开关振铃，消除了大多数降压转换器应用中对缓冲电路的需求。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
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 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMF6840C-F013所属分类：桥式驱动器，FDMF6840C-F013 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMF6840C-F013价格参考￥28.719185，你可以下载 FDMF6840C-F013中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMF6840C-F013规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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