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FDME905PT是MOSFET P-CH 12V 6-UMLP，包括卷轴封装，它们设计为以0.001058盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如microFET-6，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供700 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，Rds漏极源极电阻为22 mOhms，并且晶体管极性是P沟道。
FDME820NZT是MOSFET N沟道PowerTrench MOSFET，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.001058 oz单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及18 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作2.1W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，器件采用microFET-6封装盒，器件具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为9 a。
FDME910PZT是MOSFET P CH 20V 8A MICROFET，包括-8 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于MICROFET-6，以及卷筒封装，该器件也可以用作2.1W Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的P沟道，单位重量为0.001058盎司，Vds漏极源极击穿电压为-20V。
