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FDMF3033带有引脚细节，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表注释所示，用于智能功率级（SPS）模块，提供Digi-ReelR替代封装等封装功能，单位重量设计为0.009072盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作31 PowerWFQFN封装盒。此外，该技术是功率MOSFET，其工作温度范围为-40°C~125°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，特点是自举电路、二极管仿真，应用是同步降压转换器，接口为PWM，电压供应为4.5V~5.5V，供应商设备包为31-PQFN（5x5），配置为高低侧驱动器，输出数量为1输出，电流输出通道为60A，故障保护为直通，输出配置为半桥，负载类型为电感，Rds On Typ为1 Ohm LS，1 Ohm HS，电压负载为4.5 V~24 V，关机为无关机，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，输出电压为5 V，工作电源电流为6 uA，输出电流为60 A，下降时间为7 ns，上升时间为15 ns，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为4.5 V，驱动器数量为1个驱动器。
FDMF3030是DRMOS 50A 40-PQFN模块，包括4.5 V~5.5 V电源，设计用于在3 V~24 V电压负载下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.007901盎司，提供高侧/低侧等类型功能，技术设计用于DRMOS，以及4.5 V电源电压最小值，该设备还可以用作5.5 V电源电压最大值。此外，供应商设备包为40-PQFN（6x6），该设备提供PowerTrenchR、SyncFET？系列，该器件具有10 ns的上升时间，Rds On Typ为900 mOhm LS，800 mOhm HS，产品为MOSFET栅极驱动器，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为40 PowerTFQFN，输出电流为50 a，输出配置为半桥，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），工作电源电流为2 mA，驱动器数量为2个驱动器，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+125℃，负载类型为感应式，接口为PWM，功能为自举电路、二极管仿真、状态标志和故障保护为过热，射通，UVLO，下降时间为10ns，电流输出通道为50A，配置为非反相，应用为同步降压转换器。
FDME910PZT是MOSFET P CH 20V 8A MICROFET，包括-8 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于MICROFET-6，以及卷筒封装，该器件也可以用作2.1W Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，该器件采用Si技术，该器件具有晶体管极性的P沟道，单位重量为0.001058盎司，Vds漏极源极击穿电压为-20V。
