特色
- 极低RDS（on）负载开关MOSFET
- 电平移位MOSFET受ESD保护
- 小尺寸、小尺寸封装
- VIN范围1.8至8.0 V
- 开/关范围1.5至8.0 V
- 2000 V的ESD额定值
- 符合RoHS
应用
- 便携式电子设备
（图片：引出线）
NTGD1100LT1
- 描述:开关种类: 一般用途 输出类别: P-通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 1.8伏~8伏 供应商设备包装: 6-TSOP
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥11.25547
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.26
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规格参数
- 输出数量 one
- 输入比率 / 输出比率 1:1
- 连接口 On/Off
- 输入类别 -
- 特点 -
- 故障保护 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 开关种类 一般用途
- 输出配置 高端
- 电源电压 (Vcc/Vdd) -
- 典型导通电阻 40欧姆
- 安装类别 表面安装
- 输出类别 P-通道
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 最大输出电流 3.3A
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 负载电压 1.8伏~8伏
NTGD1100LT1 产品详情
NTGD1100LT1将P沟道和N沟道MOSFET集成在单个封装中。该器件特别适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。P沟道器件专门设计为使用ON Semiconductor最先进沟槽技术的负载开关。N沟道带有外部电阻器（R1），N沟道MOSFET具有内部ESD保护，可由低至1.5 V的逻辑信号驱动。NTGD1100LT1在1.8至8.0 V的电源线上工作，可驱动高达3.3 a的负载，同时向VIN和VON/OFF施加8.0 V电压
NTGD1100LT1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTGD3148NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
 | NTGD4167CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A、1.9A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGD3149CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A、2.4A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | NTGD4161PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 |
 | NTGD3133PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.02801 |
 | NTGD3133PT1H | 安盛美 (onsemi) | PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO | ¥2.02801 |
 | NTGS4111PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37036 |
 | NTGS4141NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.38557 |
 | NTGS3433T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP | ¥0.65186 |
NTGD1100LT1所属分类：配电开关/负载驱动器，NTGD1100LT1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTGD1100LT1价格参考￥11.255467，你可以下载 NTGD1100LT1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTGD1100LT1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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