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FDMS039N08B是MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56，包括卷轴封装，它们设计为在0.002402盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为19.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，漏极-源极电阻Rds为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道。
FDMS037N08B是MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN，包括75 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.002402盎司单位重量下工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si、Rds漏极源极电阻等技术特性，设计为工作在3.7毫欧姆，该设备也可以用作Power-56-8包装盒。此外，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为100 A。
FDMS0364S，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDMS0364S采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
