什么是分立半导体:
分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管，以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路，或用于实现非常基本的电路功能。
应用及使用:
- 通用放大
- 超级电容器自动平衡
- 一般用途
- 电流镜
- 放大器
- 栅极驱动器
- 高频
- 线性放大器偏置
- 负载开关
- CCD输出电路
- 驱动器
- 电源开关电路
更多
额定电压:
- 12V PNP, 30V N Channel
- 10.6伏
- 20V NPN, 40V N Channel
- 20V PNP, 12V P-Channel
- 45V NPN，45V NPN
- 12V NPN, 30V N Channel
- 20伏
- 40伏
- 30伏
- 120伏
- 50V NPN, 15V N-Channel
- 50V
- 12V PNP, 30V N-Channel
- 60V
- 50V NPN, 45V NPN
- 40V PNP, 30V N-Channel
- 12V NPN, 30V N-Channel
- 1700伏（1.7千伏）
- 45V PNP, 50V N-Channel
- 40V PNP, 60V N-Channel
- 45V NPN, 50V N-Channel
- 20V NPN, 40V N-Channel
- 900V
- 1500V（1.5千伏）
- 45伏
- 50V PNP, 60V N-Channel
- 12伏、30伏
- 250伏
- 55V
- 65V
- 1200V（1.2千伏）
- 50V PNP, 30V N Channel
- 25V PNP, 20 N-Channel
- 35V PNP, 20V P-Channel
- 40V NPN, 50V P-Channel
更多
制造厂商:
- 宝英电源 (Powerex)
- 鲁光 (LGE)
- 恩智浦 (NXP)
- 赛尔集团 (CEL)
- 西门子 (Siemens)
- 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 正芯半导体 (RealChip)
- 中央半导体 (Central)
- 赛米奇公司 (SemiQ)
- 合科泰 (Hottech)
- 金开盛 (JKSEMI)
- 永裕泰 (YONGYUTAI)
- 领先线性器件 (Advanced Linear)
- 钜兴 (JUXING)
- 瑞隆源 (RUILON)
- EIC半导体公司 (EIC)
- 哈利斯 (HARRIS)
- 安世半导体 (Nexperia)
- 扬杰 (YANGJIE)
- 东芝 (Toshiba)
- 华科 (HUAKE)
- 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 伯恩半导体 (BORN)
- 马坎 (MACOM)
- 力特 (Littelfuse)
- 美国电源集成公司 (Power Integrations)
- 齐洛格 (Zilog)
- 快达 (Crydom)
- 桑德斯 (SMC)
- 佑风微 (YFW)
- 达尔科技 (Diodes rporated)
- 德昌 (TC)
- 固锝 (GOOD-ARK)
- 威恩半导体有限公司 (WeEn)
- 德州仪器 (Texas)
- Multicomp (Multicomp)
- 固态公司 (Solid State )
- 杰盛微 (JSMSEMI)
- 蓝箭 (BLUE ROCKET)
- 博通 (Broadcom)
- 安世 (Nexperia)
- 维攀微 (WPMtek)
- 萨科微 (Slkor)
- 浪涌元件公司 (SURGE)
- 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 晶瓷 (KYOCERA AVX)
- 富信 (FOSAN)
- 森美特 (SUNMATE)
- 森萨塔科技快达 (Sensata-Crydom)
- 乐山无线电 (LRC)
- 微型商业组件 (Micro)
- 英飞凌 (Infineon)
- HY电子 (HY)
- 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
- 台冠电子 (TDD)
- 安盛美 (onsemi)
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 威世二极管 (Vishay General)
- 马康 (MACOM)
- 松下电子元件 (Panasonic)
- 平伟 (PINGWEI)
- 菲尼克斯电气 (Phoenix)
- 迈诺斯 (minos)
- 强茂 (Panjit)
- 创维 (SKYWORKS)
- 微芯 (Microchip)
- 瑞特隆 (Rectron)
- 志得 (ZHIDE)
- 美国柏恩 (Bourns)
- 南通康比 (HORNBY)
- 欧普泰克 (TT)
- 美国微芯 (MICROCHIP)
- 特瑞仕 (Torex)
- 时科 (SHIKUES)
- NTE电子 (NTE)
- 罗姆 (Rohm)
- DComponents (DComponents)
- 无锡铭芯微 (MICRO)
- 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 宝力芯 (PSI)
- KUU电子科技 (KUU)
- 富芯森美 (FUXINSEMI)
- 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 (SMC Diode)
- 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 先科电子 (Semtech)
- 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
- 威旺 (SEP)
- 宝乘 (baocheng)
- 美高森美 (Microsemi)
- 瑞能 (WeEn)
- 旭昌辉 (XCH)
- 江苏长电/长晶 (CJ)
- 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
- 美森科 (MSKSEMI)
- 台舟 (TECH PUBLIC)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 深圳辰达行电子有限公司 (MDD)
- 德欧泰克半导体 (Diotec)
- 固得沃克 (GOODWORK)
- 思佳讯商贸 (Skyworks)
更多
额定电流（单位：安培）:
- 1.8A PNP，660毫安 N通道
- 12A
- 10A
- 20A
- 15毫安
- 8A
- 150毫安 NPN，50毫安 N通道
- 500毫安 NPN, 100毫安 N-Channel
- 6A
- 500毫安 PNP, 100毫安 N Channel
- 4A
- 2A
- 2.5A，2A
- 2.6A
- 80毫安
- 150毫安
- 50毫安 NPN, 10毫安 N Channel
- 100毫安、10毫安
- 2A PNP，5.47A P-通道
- 50毫安 NPN, 10毫安 N-Channel
- 700毫安
- 600毫安 PNP, 115毫安 N-Channel
- 500毫安 PNP, 100毫安 N-Channel
- 15毫安 NPN，10毫安 N通道
- 100毫安 NPN
- 600毫安
- 3A
- 1A
- 200毫安 PNP，115毫安 N通道
- 100毫安 PNP，100毫安 N通道
- 2.9A
- 500毫安 NPN, 100毫安 N Channel
- 400毫安PNP，115毫安
- 100毫安
- 100毫安 PNP，160毫安 N通道
- 600毫安 NPN, 130毫安 P-Channel
- 2A PNP，3.9A P通道
- 500毫安
- 2.5A
- 50毫安
更多
供应商设备包装:
- TO-247-4L HP
- DFM
- SOT-227
- TO-247-4L HV
- SMini5-F3-B
- RS-4L
- 15-SIP
- 6-TSOP
- DFS
- ISOPLUS i4 PAC
- 16-PDIP
- T-DFN5564-4
- 4-SOPA
- FO-A
- FO-B
- GSIB-5S
- SSMini6-F3-B
- EMT6
- 4-UDFN (3x3)
- TS-6P
- GBPC
- 4-SOIC
- Mini5-G3-B
- PG-SOT-143-3D
- PB-6
- SSMINI6-F1
- TO-5
- SSMini6-F2
- RS-25M
- 6-MicroFET (2x2)
- 4-MicroDIP/SMD
- ABS
- TSMT8
- MBS
- 4-SDIP
- SMD5
- WOG
- TO-247-4L
- SOT-363
- PWS-E
- 55FT
- TO-220FP
- 12-SIP
- DB
- 4-TBS
- GBL（2S）
- DBF
- DBS
- D-34
- DPAK
- SOT-553
- V1-B-Pack
- DBLS
- SOT-26
- V-DFN3030-8
- 4-DFN (3.5x3.8)
- DB-M
- 4-DF
- KBPC1
- KBPC
- GBPC-A
- 8-DFN (3.3x3.3)
- GBPC-W
- KBPM
- PG-SOT143-4
- KBPR
- LMBS-1
- ECO-PAC1
- DB-1
- D3K
- TO-269AA (MBS)
- SDB-1
- 16-SOIC
- SC-74
- GBJ
- RS-2L
- GBL
- KBJ
- KBL
- HDS
- DF-S
- SC-88A（SC-70-5/SOT-353）
- KBP
- 8-SOIC
- GBU
- UMT6
- 4-MiniDIP
- UMT5
- MBS-1
- 8-WDFN (3x3)
- KBU
- 5-CPH
- BR-6
- ABS（Z4）
- SOT-143B
- SOT-227（同位素）
- SOT-563
- D-63
- U-DFN2020-6 (Type B)
- 6-HUSON (2x2)
更多
晶体管类别:
- 1 NPN预偏置，1 NPN
- 3 NPN
- 2 NPN（图腾柱）
- 1个PNP预偏置，1个NPN
- 2 NPN（双）
- NPN，N通道栅极-漏极，源极箝位
- 2 PNP预偏置（双）
- NPN-雪崩模式
- NPN预偏置，P通道
- 2个NPN，2个PNP Darlington（H桥）
- 2 NPN，PNP
- 8 NPN Darlington
- 2 NPN达林顿（双）
- 4 PNP Darlington (Quad)
- 1 PNP预偏置，1 PNP
- NPN-发射极开关双极
- NPN，PNP达林顿（双）
- BYSISTOR
- 3 NPN，3 PNP Darlington（三相桥）
- 2 PNP-预偏置（双）
- 2 NPN（双）电流镜
- 4 NPN Darlington (Quad)
- 5 NPN
- 2 PNP-预偏置（双）（发射极耦合）
- 2 NPN（双）匹配对，公共发射极
- 4 N通道
- 1个NPN，1个PNP-预偏置（双）
- NPN，P-通道
- PNP预偏置，N通道
- 7 NPN Darlington
- 2 PNP（双）电流镜
- PNP+二极管（隔离）
- 4 NPN (Quad) Matched Pairs
- NPN、PNP补充Darlington
- NPN+齐纳二极管（隔离）
- NPN、PNP（公共基础）
- NPN+二极管（隔离）
- 2 NPN，2 PNP
- 2个NPN，2个PNP（H桥）
- NPN，PNP
- 3 NPN+2 PNP
- 6 NPN Darlington
- NPN-达林顿
- 1个NPN预偏置，1个PNP
- PNP，P通道
- 4 PNP (Quad)
- PNP，N通道
- 3 PNP达林顿（发射器耦合）
- NPN+FET
- 2 PNP达林顿（双）
- 9 NPN Darlington
- 1个NPN，1个PNP-预偏置（基极-集电极结）
- NPN
- 2 PNP（双）匹配对
- PNP预偏置，N通道预偏置
- 2 NPN-预偏置（双）
- NPN、PNP互补
- NPN+PNP（发射极耦合）
- 4 NPN, 1 PNP Darlington
- NPN+PNP
- 2 PNP（双）
- 2 NPN（双）公共发射极
- 5 PNP
- 即插即用
- 3 PNP Darlington，3 N通道（三相电桥）
- 3 NPN达林顿（发射器耦合）
- 2 PNP（双）匹配对，公共发射极
- 6 NPN
- 2 NPN，基极-集电极结
- 2 NPN（双）公共基极
- 2个N通道（双通道）
- NPN、PNP（发射极耦合）
- 2 NPN-预偏置（双）（发射极耦合）
- 2个NPN，1个PNP-预偏置
- 4 NPN (Quad)
- PNP-达林顿
- 3 PNP
- 2 NPN（双）配对
- NPN，N通道
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 最大功率: 700 mW 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.21489 | 785 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.21489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 1130 W 供应商设备包装: Module | ¥4,480.52153 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,480.52153 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 击穿电压（V（BR）GSS）: 25伏 最大功率: 700 mW 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.30887 | 1670 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.30887 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 200 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: ISOTOP | ¥228.29621 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥228.29621 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 1890 W 供应商设备包装: Module | ¥2,270.95413 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,270.95413 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 660 W 供应商设备包装: SOT-227B | ¥259.94768 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥259.94768 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 780 W 供应商设备包装: Module | ¥4,177.80502 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,177.80502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 供应商设备包装: SC-70-5 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） | ¥25.91630 | 16465 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥25.91630 | 立即购买 加入购物车 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 128 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥332.66640 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥332.66640 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 1890 W 供应商设备包装: Module | ¥8,018.52768 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,018.52768 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 供应商设备包装: SC-70-5 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥24.16122 | 10092 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥24.16122 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 105 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: SOT-227B | ¥347.51434 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥347.51434 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 300 A 最大功率: 1130 W 供应商设备包装: Module | ¥1,298.16856 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,298.16856 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥45.52693 | 11455 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥45.52693 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 1130 W 供应商设备包装: Module | ¥348,419.96307 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥348,419.96307 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 39 A 最大功率: 175瓦 供应商设备包装: Module | ¥376.34108 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥376.34108 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥109.40335 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥109.40335 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 2710 W 供应商设备包装: Module | ¥73,661.75938 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73,661.75938 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 285 W 供应商设备包装: Module | ¥385.82928 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥385.82928 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: 4-md | ¥966.43832 | 121 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥966.43832 | 立即购买 加入购物车 |