场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.56303 | 938 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.68993 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A, 3.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.76343 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.76343 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道互补 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A, 7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.39549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,186.47000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥662.91367 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥662.91367 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥35.67273 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,783.63655 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta), 27A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.34876 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,023.13250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 116A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3,530.26189 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,590.78567 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A, 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.70693 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.70693 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFet Dual 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.40425 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,425.51800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12毫安,3毫安 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥35.67273 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,783.63655 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.9A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.26659 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.26659 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.6A(Ta),43.6A(Tc) 供应商设备包装: PowerDI5060-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.35288 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,382.20750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-10 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.47179 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.47179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(相位支路) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 143A(Tc) 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3,682.76115 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,365.52230 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOP | ¥8.43074 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.43074 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥36.38978 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,819.48890 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.40780 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,223.40600 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36.7 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.44138 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.44138 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.21585 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.21585 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Ta)、29A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.35890 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,038.34250 | 添加到BOM 立即询价 |