RF 晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,流经器件的电流由电场控制。该系列中的器件设计用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管,类型包括E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N沟道、P沟道、pHEMT、碳化硅、2个N沟道和4个N沟道。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 1.93GHz~1.99GHz 输出端功率: 26瓦 供应商设备包装: NI-880S | ¥193.14794 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥193.14794 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 112伏 频率: 960MHz~1.22GHz 输出端功率: 1000W 供应商设备包装: NI-1230-4S | ¥8,233.37382 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥411,668.69090 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 40伏 额定电流(单位:安培): 2.5A 频率: 500MHz 输出端功率: 3瓦 供应商设备包装: 10 PowerSO | ¥565.96455 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥565.96455 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 频率: 2.9GHz 输出端功率: 320瓦 供应商设备包装: NI-1230-4H | ¥873.46767 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥873.46767 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.17GHz 输出端功率: 10W 供应商设备包装: NI-400-240 | ¥656.69742 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥656.69742 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 100伏 额定电流(单位:安培): 72A 频率: 1.03GHz~1.09GHz 输出端功率: 600W 供应商设备包装: sot339a | ¥4,421.79045 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥265,307.42700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 70毫安 频率: 12GHz 供应商设备包装: M04 | ¥383.34642 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥383.34642 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 32瓦 供应商设备包装: NI-880H-2L | ¥1,311.21116 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,311.21116 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 112伏 频率: 960MHz~1.22GHz 输出端功率: 1000W 供应商设备包装: NI-1230-4S GULL | ¥8,248.85045 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥412,442.52235 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 40伏 额定电流(单位:安培): 2.5A 频率: 500MHz 输出端功率: 3瓦 供应商设备包装: PowerSO-10RF (Straight Lead) | ¥871.44835 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥871.44835 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 65 V 频率: 2.9GHz 输出端功率: 320瓦 供应商设备包装: NI-1230-4S | ¥499.55904 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥499.55904 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.16GHz~2.17GHz 输出端功率: 10W 供应商设备包装: NI-400S | ¥438.22442 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥438.22442 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双),共源 额定电压: 100伏 频率: 1.2GHz~1.4GHz 输出端功率: 500W 供应商设备包装: SOT502B | ¥4,421.79045 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥265,307.42700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: N通道GaAs HJ-FET 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 60毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 125毫瓦 供应商设备包装: 4-Super Mini Mold | ¥416.92948 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥416.92948 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 1.93GHz~1.99GHz 输出端功率: 32瓦 供应商设备包装: NI-880H-2L | ¥1,000.62112 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,000.62112 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 40伏 额定电流(单位:安培): 4A 频率: 500MHz 输出端功率: 8W 供应商设备包装: 10 PowerSO | ¥4,647.60959 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,647.60959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS(双) 额定电压: 120伏 频率: 225兆赫 输出端功率: 125瓦 供应商设备包装: NI-1230-4H | ¥123.75488 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥123.75488 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.17GHz 输出端功率: 10W 供应商设备包装: NI-400S | ¥414.17799 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥414.17799 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 异质结场效应晶体管 额定电压: 4伏 额定电流(单位:安培): 88毫安 频率: 12GHz 输出端功率: 14分贝m 供应商设备包装: S02 | ¥132.97964 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥132.97964 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 1.99GHz 输出端功率: 32瓦 供应商设备包装: NI-880S | ¥304.88263 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥304.88263 | 添加到BOM 立即询价 |