分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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类型:N沟道 漏源电压(Vdss):68V 连续漏极电流(Id):88A 功率(Pd):130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,35A | ¥1.73406 | 20872 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.73406 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.66892 | 16835 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.66892 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.8A 功率(Pd):400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@4.5V,2.8A | ¥0.12313 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.12313 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥1.87036 | 22860 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.87036 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,8A | ¥2.19648 | 19015 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.19648 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,5.8A | ¥0.22018 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22018 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥2.93214 | 6254 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.93214 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@4.5V,2.8A | ¥0.23829 | 145 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.23829 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,100A | ¥17.42467 | 18713 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥17.42467 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:2个N沟道(半桥) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):29W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A | ¥1.39482 | 19460 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.39482 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@4.5V,3.6A | ¥0.14486 | 197 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14486 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,45A | ¥2.63240 | 5125 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.63240 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,500mA | ¥0.36510 | 25200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36510 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,5.8A | ¥0.43892 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.43892 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.4A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@4.5V,3A | ¥0.40567 | 4780 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.40567 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):14A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,14A | ¥2.08570 | 13275 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.08570 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,6A | ¥2.51176 | 18150 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.51176 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.6A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@10V,2.6A | ¥0.14196 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.14196 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.31145 | 980 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31145 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):57A 功率(Pd):52.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,30A | ¥2.28391 | 14085 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.28391 | 立即购买 加入购物车 |