分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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暂无 | ¥0.36539 | 16870 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.36539 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):52mΩ@10V,3A | ¥0.46326 | 7670 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.46326 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥2.61685 | 14154 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.61685 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:2个N沟道和2个P沟道(全桥) | ¥0.44399 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.44399 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@10V,20A | ¥3.76238 | 16905 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.76238 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA | ¥0.10810 | 4320 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.10810 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,3A | ¥0.26944 | 915 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.26944 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:1个N沟道和1个P沟道 | ¥0.90609 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.90609 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,5.8A | ¥0.21511 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.21511 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):35A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,12A | ¥1.50642 | 15713 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.50642 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):1A 功率(Pd):140mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@4.5V,650mA | ¥0.19791 | 12760 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.19791 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):15V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):82mΩ@4.5V,1.5A | ¥0.26147 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.26147 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):85W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A | ¥4.93944 | 11082 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.93944 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.6A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,3.6A | ¥0.34997 | 16110 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34997 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥1.11736 | 15505 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.11736 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥8.19737 | 12073 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.19737 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):40V 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,6A | ¥1.87720 | 14745 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.87720 | 立即购买 加入购物车 | ||
暂无 | ¥0.31267 | 14690 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.31267 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):1.75A 功率(Pd):700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@4.5V,2.2A | ¥0.45558 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.45558 | 立即购买 加入购物车 | ||
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):840mΩ@10V,5A | ¥2.87959 | 1955 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.87959 | 立即购买 加入购物车 |