什么是绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块:
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块，IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
最大集电极电流 (Ic):
- 22A
- 1800 A
- 80 A
- 620 A
- 84 A
- 42 A
- 225 A
- 16 A
- 240 A
- 19A
- 165 A
- 123 A
- 100 A
- 39 A
- 35A
- 195 A
- 440 A
- 130 A
- 72 A
- 2400 A
- 95 A
- 30 A
- 27 A
- 300 A
- 510 A
- 23 A
- 65 A
- 153 A
- 69 A
- 12A
- 185 A
- 64 A
- 2000 A
- 128 A
- 283 A
- 1400 A
- 11 A
- 600 A
- 166 A
- 105 A
- 38 A
- 90 A
- 150 A
- 75 A
- 52 A
- 1600 A
- 139 A
- 460 A
- 112 A
- 87 A
- 45 A
- 68 A
- 116 A
- 27.5 A
- 140 A
- 200 A
- 370 A
- 86 A
- 430 A
- 950 A
- 280 A
- 520 A
- 148 A
- 15A
- 37 A
- 125 A
- 70 A
- 97 A
- 151 A
- 400 A
- 675 A
- 117 A
- 25 A
- 1200 A
- 480 A
- 1.2 kA
- 29 A
- 3460 A
- 20A
- 85 A
- 700 A
- 450 A
- 160 A
- 220 A
- 580 A
- 310 A
- 500 A
- 55 A
- 145 A
- 375 A
- 78 A
- 1500 A
- 149 A
- 900 A
- 50 A
- 420 A
- 31 A
- 825 A
- 110 A
- 18A
更多
集电极击穿电压:
- 950伏
- 600 V
- 1200伏
- 300伏
- 1700伏
- 1600伏
- 1400伏
- 3300伏
- 1.2伏
- 5900 V
- 700 V
- 6500 V
- 2500伏
- 250伏
- 650 V
- 900 V
- 750 V
- 1250伏
- 1000伏
- 620 V
- 4500伏
更多
最大功率:
- 100瓦
- 940瓦
- 50 W
- 180瓦
- 595 W
- 140瓦
- 77 W
- 12500 W
- 1100瓦
- 205瓦
- 1650 W
- 2500瓦
- 1250瓦
- 480瓦
- 210瓦
- 290瓦
- 1450 W
- 870 W
- 94瓦
- 335 W
- 61 W
- 312 W
- 250瓦
- 6250 W
- 410 W
- 2400 W
- 20毫瓦
- 2000瓦
- 360瓦
- 658 W
- 1000000 W
- 170瓦
- 197 W
- 130瓦
- 385 W
- 4800 W
- 68 W
- 600 W
- 280瓦
- 115瓦
- 10500瓦
- 1600 W
- 208瓦
- 430 W
- 283 W
- 350瓦
- 570 W
- 340 W
- 45瓦
- 225瓦
- 104瓦
- 4150 W
- 1500瓦
- 75 W
- 536 W
- 1800瓦
- 329 W
- 446 W
- 695 W
- 3350 W
- 460瓦
- 416 W
- 379 W
- 105瓦
- 17000 W
- 543 W
- 520 W
- 1000瓦
- 2250瓦
- 454.5 W
- 71.5 W
- 431 W
- 284 W
- 780 W
- 70 W
- 300瓦
- 176 W
- 150瓦
- 2300 W
- 462 W
- 142.8 W
- 3900 W
- 625 W
- 175瓦
- 417 W
- 89 W
- 1950 W
- 145 W
- 4.2 mW
- 5100 W
- 81 W
- 40瓦
- 2100 W
- 765000 W
- 500 W
- 85 W
- 700 W
- 682 W
- 4050 W
- 640 W
更多
制造厂商:
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 安盛美 (onsemi)
- 威世二极管 (Vishay General)
- 英飞凌 (Infineon)
- 微芯 (Microchip)
- 宝英电源 (Powerex)
- 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 力特 (Littelfuse)
- 赛米奇公司 (SemiQ)
- 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
更多
供应商设备包装:
- 26-DIP
- 56-PIM/Q2PACK (93x47)
- AG-ECONO2C
- SOT-227
- AG-ECONO2B
- EZIRPACK 1
- Dual INT-A-PAK
- POWIR ECO 2
- AG-PRIME3+-5
- E10
- AG-XHP3K33
- AG-ECONOD-4
- AG-ECONOD-5
- AG-ECONOD-6
- AG-XHP100-6
- AG-ECONO3B
- A-IHV190-6
- 同位素
- Module
- S3
- AG-XHP3K65
- AG-HYBDC6I-1
- SP6-P
- AG-PRIME2
- AG-XHP100-3
- EPM7
- AG-ECONO2-6
- AG-ECONO2-8
- AG-EASY1B-2
- Y4-M5
- 鲍威尔62
- AG-IHVB130-3
- EMIPAK-2B
- PG-MDIP-28
- D1
- INT-A-Pak
- D3
- D4
- 7PM-IA
- SP2
- SP1
- SP4
- SP3
- SP6
- 25PM-AA
- AG-EASY2B-3
- AG-EASY2B-2
- MTP
- E1
- 10-MTP
- ACEPACK1.
- E2
- 27-DIP
- E3
- AG-IHVB190-3
- Y3-DCB
- 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
- SOT-227B
- 7PM-HA
- AG-EASY2B
- AG-PRIME3-1
- MiniPack2
- AG-IHMB190-2
- 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
- F1
- ACEPACK2.
- F2
- V1A-PAK
- 12-MTP
- SP3F
- 7PM-GA
- 鲍威尔34
- ECO-PAC1
- ECO-PAC2
- IMS-2
- AG-EASY3B
- AG-ECONOD
- WB
- AG-EASY2BM-2
- AG-ECONOPP-2-1
- AG-62MM-1
- AG-62毫米
- 22-PIM (55x32.5)
- AG-ECONO3
- AG-ECONOD-3
- AG-ECONO2
- ECONO3 4PACK
- AG-ECONOPP
- 23-SOP
- AG-HYBRIDD-2
- A-IHV130-6
- AG-HYBRIDD-1
- AG-IHVB190
- A-IHV130-3
- 12-MTP Pressfit
- AG-IHMB130-2
- SOT-227（同位素）
- AG-IHMB190
- ISOTOP
- AG-EASY1B
更多
IGBT型:
- 场截止
- NPT, Trench Field Stop
- NPT and Fieldstop
- 沟槽
- NPT
- PT
- PT, Trench
- 场终止沟道
更多
参数配置:
- 三路、双路-公共电源
- 三电平逆变器-IGBT、FET
- 降压斩波电路
- 三相逆变器
- 升压斩波器，全桥
- 三相
- 双制动斩波器
- 带制动器的三相逆变器
- 单个的
- 升压斩波电路
- 半桥
- 不对称电桥
- 三电平逆变器
- 双重、公共源
- 半桥逆变器
- 单斩波器
- T型
- 全桥
- 双降压斩波器
- 单个开关
- 双升压斩波器
- 全桥逆变器
- 3独立
- 2独立
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥212.18076 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,243.61512 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 供应商设备包装: Module | ¥1,950.07840 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,950.07840 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 360瓦 供应商设备包装: SOT-227B | ¥245.53431 | 69 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥245.53431 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 87 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥212.61533 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,252.30660 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 280 A 最大功率: 1000瓦 供应商设备包装: Module | ¥2,099.71671 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,099.71671 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 283 A 最大功率: 682 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥247.48989 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥247.48989 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: V1A-PAK | ¥212.93525 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,110.44595 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 2500瓦 供应商设备包装: Module | ¥958.80846 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥958.80846 | 立即购买 加入购物车 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: Module | ¥213.52069 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,124.49661 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 105瓦 供应商设备包装: Module | ¥263.93128 | 37 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥263.93128 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 416 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥214.24498 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,070.08441 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大功率: 4050 W 供应商设备包装: Module | ¥2,336.84926 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,336.84926 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 220 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥215.76599 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,315.31982 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 116 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥270.16017 | 8 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥270.16017 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: Module | ¥2,503.00138 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,503.00138 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 68 W 供应商设备包装: Module | ¥217.43186 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,218.36459 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 128 A 最大功率: 543 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥309.41669 | 75 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥309.41669 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 5100 W 供应商设备包装: Module | ¥5,305.13453 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,305.13453 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 329 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥226.63034 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,532.60682 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-EASY1B-2 | ¥287.30701 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥287.30701 | 立即购买 加入购物车 |