绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作结合了高效率和快速开关的电子开关。作为模块,IGBT 可配置为不对称桥、升压、降压和制动斩波器、全桥、三电平和三相逆变器。有些内置 NTC 热敏电阻用于温度监控。IGBT 模块的区别在于最大功率、集电极电流、集电极-发射极击穿电压和配置。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 280瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,133.65871 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,133.65871 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 供应商设备包装: AG-EASY1B-2 | ¥296.45190 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥296.45190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 11 A 最大功率: 45瓦 供应商设备包装: E1 | ¥613.03906 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥613.03906 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 310 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,209.56430 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,209.56430 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥274.65077 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,866.26920 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MODULE LOW POWER EASY | ¥309.63398 | 14 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥309.63398 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 最大功率: 1600 W 供应商设备包装: Module | ¥1,285.32503 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,285.32503 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 11 A 最大功率: 50 W 供应商设备包装: E1 | ¥348,372.90378 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥348,372.90378 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 42 A 最大功率: 312 W 供应商设备包装: SOT-227B | ¥278.16358 | 230 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,781.63575 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥313.18300 | 25 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥313.18300 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 620 A 最大功率: 2250瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,341.24022 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,341.24022 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 69 A 最大功率: 335 W 供应商设备包装: Module | ¥278.27222 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,678.53323 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 18A 最大功率: 61 W 供应商设备包装: E1 | ¥624.15304 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥624.15304 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 385 W 供应商设备包装: Module | ¥1,362.67921 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,362.67921 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥281.49531 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,629.90618 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 500 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: D3 | ¥1,568.23271 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,568.23271 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 带制动器的三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 19A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: E1 | ¥3,095.55269 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,095.55269 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: ACEPACK1. | ¥380.97654 | 9 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥380.97654 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 900 V 最大集电极电流 (Ic): 64 A 最大功率: 284 W 供应商设备包装: 同位素 | ¥282.79903 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,655.98062 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 580 A 最大功率: 2000瓦 供应商设备包装: Module | ¥1,629.94222 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,629.94222 | 添加到BOM 立即询价 |