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分立半导体
晶体管
单绝缘栅双极晶体管（IGBT）

什么是单绝缘栅双极晶体管（IGBT）:

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是具有三个端子的多层半导体器件，可以处理高电流并具有快速开关功能。它们的特征包括类型、集电极-发射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

最大集电极电流 (Ic):
22A
10A
80 A
61 A
180 A
42 A
84 A
16 A
26.9 A
108 A
5 A
240 A
54 A
77 A
9.4 A
100 A
58 A
35A
104 A
72 A
130 A
53 A
95 A
30 A
37.7 A
23 A
65 A
48A
36A
24A
115 A
12A
60 A
64 A
41 A
8.5 A
34 A
11 A
120 A
8 A
76 A
5.3 A
38 A
90 A
94 A
75 A
52 A
45 A
3.2 A
26A
135 A
49 A
116 A
140 A
200 A
40 A
63 A
208 A
280 A
14 A
7 A
144 A
9.6 A
79 A
15A
93 A
70 A
51 A
74 A
234 A
17.5A
44 A
28A
67 A
20A
85 A
160 A
220 A
17 A
15.5 A
6.3 A
13 A
32 A
6 A
55 A
145 A
78 A
59 A
5.5 A
92 A
21A
11.4 A
50 A
190 A
31 A
43 A
66 A
110 A
47 A
46A
更多
工作温度:
-40摄氏度~175摄氏度（TJ）
-55摄氏度~125摄氏度（TJ）
-40摄氏度~150摄氏度（TJ）
-65摄氏度~150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~150摄氏度（TJ）
-65摄氏度~175摄氏度（TJ）
-40摄氏度~75摄氏度（TJ）
175摄氏度（TJ）
150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度（TJ）
更多
集电极击穿电压:
345伏
400伏
1200伏
1800伏
365伏
420伏
430伏
1600伏
1400伏
440伏
650 V
900 V
1000伏
1250伏
360伏
4500伏
380伏
442 V
390伏
445 V
1500伏
4000伏
950伏
425伏
435伏
600 V
3600伏
300伏
1700伏
1100伏
320伏
330伏
1300伏
500 V
395 V
415伏
375 V
700 V
270伏
2500伏
250伏
1350 V
3000伏
450伏
460伏
480伏
更多
最大功率:
100瓦
58 W
41瓦
595 W
140瓦
1.25瓦
77 W
298 W
227.2 W
108瓦
463 W
38瓦
480瓦
210瓦
290瓦
125瓦
30瓦
400瓦
250瓦
206 W
178 W
219 W
174 W
197 W
320瓦
99 W
556 W
130瓦
483 W
234 W
238 W
272 W
124 W
147 W
200瓦
115瓦
892 W
60 W
521 W
268 W
139瓦
260 W
208瓦
350瓦
56 W
144瓦
156瓦
45瓦
390瓦
104瓦
781 W
33瓦
348 W
75 W
160瓦
555 W
277 W
469 W
231 W
167 W
319.2 W
270瓦
337 W
520 W
29 W
246 W
166.7 W
227 W
454 W
110瓦
35瓦
138 W
70 W
190瓦
300瓦
176 W
267瓦
150瓦
55 W
278 W
106瓦
420 W
625 W
833 W
89 W
325瓦
2 W
28 W
357 W
187 W
92瓦
164 W
500 W
85 W
66 W
141 W
33.3 W
216瓦
201 W
455 W
更多
制造厂商:
英飞凌 (Infineon)
上海陆芯 (luxin-semi)
罗姆 (Rohm)
达尔科技 (Diodes rporated)
东芝 (Toshiba)
艾赛斯.力特 (IXYS)
无锡新洁能 (NCE)
威恩半导体有限公司 (WeEn)
萨科微 (Slkor)
意法半导体 (STMicroelectronics)
安盛美 (onsemi)
微芯 (Microchip)
基因半导体公司 (GeneSiC)
瑞萨电子 (Renesas)
力特 (Littelfuse)
三垦电气株式会社 (Sanken)
赛米奇公司 (SemiQ)
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
美国微芯 (MICROCHIP)
微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
HPM F2
PG-TO220-3-31
TO-218 Isolated
PG-TO247AD
ISOPLUS i4 PAC
超级247（至274AA）
TO-247N
DPAK (TO-263)
TO-268HV
TO-247
TO-220AB Full-Pak
8-TSSOP
24-SMPD
TO-264AA
PG-TO247-3-32
LPDS
TO-252
7-SIP
I2PAK (TO-262)
等值线247
TO-252（DPak）
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
TO-263（D2Pak）
PG-HSIP247-3-2
TO-252AA
DPAK-6
TO-268AA
最大247
TO-220-3
TO-264 (L)
TO-247-4
TO-220
TO-247-3
超220（至273AA）
TO-264 (IXYK)
Die
PG-TO247-3-AI
PG-TO263-3-901
TO-263AB
TO-263AA
TO-247-4L
PG-TO252-3
TO-220FL
PG-TO274-3-903
TO-263HV
TO-220FP
PG-TO220 Full Pack
D3PAK
8-ECH
TO-247 (IXTH)
TO220 Full Pack
TO-220F
TO-247 (IXXH)
TO-247 Long Leads
PG-TO247-4-3
T-MAX[B2]
PG-TO247-4-2
PG-TO220-3
至263AB（DPAK）
DPAK
SOT-227B
D2PAK (TO-263)
D2PAK
PG-TO247-3
TO-220F-3
PG-TO247-4
D-Pak
TO-220NFM
PG-TO220-3-111
TO-220AB
TO-247 [B]
TO-268HV (IXYT)
PG-TO251-3
SUPER-247 (TO-274AA)
TO-252-3 (DPAK)
TO-247PLUS-HV
PG-TO247-3-46
TO-3P
PG-TO247-3-41
TO-220AC
TO-3PF
TO-247AD
PG-TO247-3-1
TO-247AC
TO-264-3
TO-263
ISOPLUSi5 Pak
TO-262
TO-3PN
8-SOIC
TO-268
I-PAK
TO-264 (IXGK)
TO-247 (IXYH)
TO-3PFM
PLUS247-3.
TO-264 [L]
TO-252，（D-Pak）
TO-218-5
更多
IGBT型:
场截止
NPT, Trench Field Stop
沟槽
NPT
PT
场终止沟道
NPT and Trench
更多

类别

二极管	整流器	齐纳	晶闸管	晶体管
双极 (BJT)	FET、MOSFET	IGBT

当前"单绝缘栅双极晶体管（IGBT）"共 4525 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
SGF23N60UFDTU 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-3PF	¥15.26803	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥15.26803	添加到BOM 立即询价
IRG4BC30F-STRLP 英飞凌 (Infineon)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 100瓦供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥187.28749	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥187.28749	添加到BOM 立即询价
SGH23N60UFDTU 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 100瓦供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥260.87477	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥260.87477	添加到BOM 立即询价
IRG4BC30F-STRRP 英飞凌 (Infineon)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 100瓦供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥60.50397	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥60.50397	添加到BOM 立即询价
HGT1S7N60C3DS 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263)	¥49.91807	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥49.91807	添加到BOM 立即询价
IRG6S320UTRLPBF 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: 沟槽集电极击穿电压: 330伏最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 114瓦供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥33.85332	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥33.85332	添加到BOM 立即询价
FGH15T120SMD-F155 安盛美 (onsemi)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 333 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥26.74655	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥26.74655	立即购买加入购物车
SGF40N60UFTU 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 100瓦供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥22.25019	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥22.25019	添加到BOM 立即询价
IRG7S313UTRLPBF 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: 沟槽集电极击穿电压: 330伏最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 78 W 供应商设备包装: D2PAK	¥28.20385	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥28.20385	添加到BOM 立即询价
IKZ50N65ES5XKSA1 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: 沟槽集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 274 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥52.06776	2	2-3 工作日	- + 合计: ¥52.06776	立即购买加入购物车
HGT1S7N60C3DS9A 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263)	¥59.11655	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥59.11655	添加到BOM 立即询价
IXBK75N170A 艾赛斯.力特 (IXYS)	集电极击穿电压: 1700伏最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 1040瓦供应商设备包装: TO-264AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥7.64850	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥7.64850	添加到BOM 立即询价
APT25GN120BG 微芯 (Microchip)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 67 A 最大功率: 272 W 供应商设备包装: TO-247 [B] 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥45.05084	8	5-7 工作日	- + 合计: ¥45.05084	添加到BOM 立即询价
SGF5N150UFTU 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 1500伏最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 62.5 W 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥62.04778	17	2-3 工作日	- + 合计: ¥62.04778	立即购买加入购物车
IXGK64N60B3D1 艾赛斯.力特 (IXYS)	IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大功率: 460瓦供应商设备包装: TO-264 (IXGK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥20.07732	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥20.07732	添加到BOM 立即询价
STGWA25H120F2 意法半导体 (STMicroelectronics)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 375瓦供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥46.28213	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥46.28213	添加到BOM 立即询价
SGF23N60UFDM1TU 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥22.95999	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥22.95999	添加到BOM 立即询价
IXGK72N60A3H1 艾赛斯.力特 (IXYS)	IGBT型: PT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 540 W 供应商设备包装: TO-264 (IXGK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥21.51141	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥21.51141	添加到BOM 立即询价
STGW75M65DF2 意法半导体 (STMicroelectronics)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 468 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥46.57185	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥46.57185	添加到BOM 立即询价
HGT1S14N36G3VLS 安盛美 (onsemi)	集电极击穿电压: 390伏最大集电极电流 (Ic): 18A 最大功率: 100瓦供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥47.30840	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥47.30840	添加到BOM 立即询价

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