起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 52.06776 | 52.06776 |
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进一步提高TRENCHSTOP的最佳性能™ 5 IGBT技术，英飞凌提供具有额外开尔文发射管脚的高功率封装技术。TO-247 4引脚为栅极-发射极控制回路提供超低电感，并带来TRENCHSTOP™ 5 IGBT的下一级最佳开关性能。采用了标准TO-247封装体，并增加了额外的第四个引脚，以启用开尔文发射器配置。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IKZA40N65RH5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 74 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥42.49844 |
 | IKZA75N65RH5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥71.10934 |
 | IKZA50N65SS5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 274 W 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥92.17822 |
 | IKZ75N65ES5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥31.79633 |
 | IKZ75N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥79.66162 |
| IKZ50N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥68.58466 |
| IKZ75N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥79.66162 |
| IKZ75N65EL5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥91.30608 |
| IKZ50N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 功率(Pd)：274W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：80A | ¥58.33795 |
| IKZ50N65NH5 | 英飞凌 (Infineon) | ¥27.84316 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
