IKZ50N65ES5
- 描述:功率(Pd)：274W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：80A
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 58.33794 | 58.33794 |
| 200+ | 22.57429 | 4514.85880 |
| 500+ | 21.78608 | 10893.04250 |
| 1000+ | 21.39723 | 21397.23600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥58.33795
-
数量:
- +
- 总计: ¥58.34
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规格参数
- IGBT类型 -
- 功率(Pd) 274W
- 集射极击穿电压(Vces) 650V
- 集电极电流(Ic) 80A
- 集电极脉冲电流(Icm) 200A
- 集电极截止电流(Ices@Vce) 50uA@650V
- 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge) 1.35V@50A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 4V@500uA
- 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 120nC@50A,15V
- 输入电容(Cies@Vce) 3.1nF@25V
- 开启延迟时间(Td(on)) 36ns
- 关断延迟时间(Td(off)) 294ns
- 导通损耗(Eon) 0.77mJ
- 关断损耗(Eoff) 0.88mJ
- 正向压降(Vf@If) 1.45V@50A
- 反向恢复时间(Trr) 62ns
- 工作温度 -40℃~+175℃@(Tj)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IKZA40N65RH5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 74 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥42.49844 |
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 | IKZA50N65SS5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 274 W 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥92.17822 |
 | IKZ75N65ES5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥31.79633 |
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| IKZ50N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 功率(Pd)：274W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：80A | ¥58.33795 |
| IKZ50N65NH5 | 英飞凌 (Infineon) | ¥27.84316 |
IKZ50N65ES5所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IKZ50N65ES5 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IKZ50N65ES5价格参考￥58.337945，你可以下载 IKZ50N65ES5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IKZ50N65ES5规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
