IKZ50N65EH5
- 描述:暂无
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 68.58465 | 68.58465 |
| 200+ | 26.54686 | 5309.37300 |
| 500+ | 25.61152 | 12805.76250 |
| 1000+ | 25.14910 | 25149.10900 |
- 库存: 0
- 单价: ¥68.58466
-
数量:
- +
- 总计: ¥68.58
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
IKZ50N65EH5 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IKZA40N65RH5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 74 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥42.49844 |
 | IKZA75N65RH5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥71.10934 |
 | IKZA50N65SS5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 274 W 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥92.17822 |
 | IKZ75N65ES5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥31.79633 |
| IKZ75N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥79.66162 |
| IKZ50N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥68.58466 |
| IKZ75N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥79.66162 |
| IKZ75N65EL5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥91.30608 |
| IKZ50N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 功率(Pd)：274W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：80A | ¥58.33795 |
| IKZ50N65NH5 | 英飞凌 (Infineon) | ¥27.84316 |
IKZ50N65EH5所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IKZ50N65EH5 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IKZ50N65EH5价格参考￥68.584657，你可以下载 IKZ50N65EH5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IKZ50N65EH5规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
