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IKZ75N65ES5XKSA1

  • 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 59.53663 59.53663
10+ 53.77129 537.71290
100+ 44.51993 4451.99330
500+ 43.49796 21748.98000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥31.79633
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥59.54
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 最大整流电流 (Icm) 300 A
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大集电极电流 (Ic) 80 A
  • IGBT型 沟槽
  • 反向恢复时长 (trr) 72 ns
  • 包装/外壳 至247-4
  • 最大功率 395 W
  • 供应商设备包装 PG-TO247-4
  • 门电荷 164 nC
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.75V@15V,75A
  • 开关能量 1.3mJ(开),1.5mJ(关)
  • 开通/关断延时 (25°C) 46ns/405ns
  • 试验条件 400V, 15A, 22.3欧姆, 15V

IKZ75N65ES5XKSA1 产品详情

进一步提高TRENCHSTOP的最佳性能™ 5 IGBT技术,英飞凌提供具有额外开尔文发射管脚的高功率封装技术。TO-247 4引脚为栅极-发射极控制回路提供超低电感,并带来TRENCHSTOP™ 5 IGBT的下一级最佳开关性能。采用了标准TO-247封装体,并增加了额外的第四个引脚,以启用开尔文发射器配置。

特色

  • 极低控制电感回路
  • 用于驾驶员反馈的发射器引脚
  • 集电极-发射极的爬电距离与标准TO-247封装相同
  • 与使用相同技术的to-247封装相比,总开关损耗减少20%
  • 与标准to-247相比,系统效率提高
  • 高电流条件下的效益增加
  • IGBT在较低结温下工作
  • 过电流条件下的功耗大大降低

应用

  • 不间断电源
  • 数据中心
  • 电信整流器
  • 光伏逆变器
  • 服务器
IKZ75N65ES5XKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKZ75N65ES5XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKZ75N65ES5XKSA1价格参考¥31.796331,你可以下载 IKZ75N65ES5XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKZ75N65ES5XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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