IKZA40N65RH5XKSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 74 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 最大整流电流 (Icm) 60 A
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- IGBT型 场终止沟道
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 40A
- 最大功率 250瓦
- 门电荷 95 nC
- 开关能量 140J (on), 120J (off)
- 最大集电极电流 (Ic) 74 A
- 包装/外壳 至247-4
- 开通/关断延时 (25°C) 17ns/165ns
- 试验条件 400V, 20A, 15欧姆, 15V
- 供应商设备包装 PG-TO247-4-3
IKZA40N65RH5XKSA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKZA40N65RH5XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKZA40N65RH5XKSA1价格参考¥42.498440,你可以下载 IKZA40N65RH5XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKZA40N65RH5XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。