IKZA75N65RH5XKSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 71.10934 | 71.10934 |
- 库存: 5
- 单价: ¥71.10934
-
数量:
- +
- 总计: ¥71.11
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 最大整流电流 (Icm) 300 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 75A
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 包装/外壳 至247-4
- 供应商设备包装 PG-TO247-4-3
- 最大功率 395 W
- 开关能量 310J (on), 300J (off)
- 门电荷 168 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 25ns/180ns
- 试验条件 400V, 37.5A, 9欧姆, 15V
- 样式 -
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IKZA40N65RH5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 74 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥42.49844 |
| IKZA75N65RH5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥71.10934 |
 | IKZA50N65SS5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 274 W 供应商设备包装: PG-TO247-4-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥92.17822 |
 | IKZ75N65ES5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 395 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥31.79633 |
 | IKZ75N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥79.66162 |
| IKZ50N65EH5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥68.58466 |
| IKZ75N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥79.66162 |
| IKZ75N65EL5 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥91.30608 |
| IKZ50N65ES5 | 英飞凌 (Infineon) | 功率(Pd)：274W 集射极击穿电压(Vces)：650V 集电极电流(Ic)：80A | ¥58.33795 |
| IKZ50N65NH5 | 英飞凌 (Infineon) | ¥27.84316 |
IKZA75N65RH5XKSA1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），IKZA75N65RH5XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IKZA75N65RH5XKSA1价格参考￥71.109344，你可以下载 IKZA75N65RH5XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IKZA75N65RH5XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
