【单绝缘栅双极晶体管（IGBT）厂家_单绝缘栅双极晶体管（IGBT）型号采购】|第21页-久芯网

客服电话: 400-000-8198
选择语言
用户中心

久芯网
电子元器件分类
分立半导体
晶体管
单绝缘栅双极晶体管（IGBT）

什么是单绝缘栅双极晶体管（IGBT）:

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是具有三个端子的多层半导体器件，可以处理高电流并具有快速开关功能。它们的特征包括类型、集电极-发射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

最大集电极电流 (Ic):
22A
10A
80 A
61 A
180 A
42 A
84 A
16 A
26.9 A
108 A
5 A
240 A
54 A
77 A
9.4 A
100 A
58 A
35A
104 A
72 A
130 A
53 A
95 A
30 A
37.7 A
23 A
65 A
48A
36A
24A
115 A
12A
60 A
64 A
41 A
8.5 A
34 A
11 A
120 A
8 A
76 A
5.3 A
38 A
90 A
94 A
75 A
52 A
45 A
3.2 A
26A
135 A
49 A
116 A
140 A
200 A
40 A
63 A
208 A
280 A
14 A
7 A
144 A
9.6 A
79 A
15A
93 A
70 A
51 A
74 A
234 A
17.5A
44 A
28A
67 A
20A
85 A
160 A
220 A
17 A
15.5 A
6.3 A
13 A
32 A
6 A
55 A
145 A
78 A
59 A
5.5 A
92 A
21A
11.4 A
50 A
190 A
31 A
43 A
66 A
110 A
47 A
46A
更多
工作温度:
-40摄氏度~175摄氏度（TJ）
-55摄氏度~125摄氏度（TJ）
-40摄氏度~150摄氏度（TJ）
-65摄氏度~150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~150摄氏度（TJ）
-65摄氏度~175摄氏度（TJ）
-40摄氏度~75摄氏度（TJ）
175摄氏度（TJ）
150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度（TJ）
更多
集电极击穿电压:
345伏
400伏
1200伏
1800伏
365伏
420伏
430伏
1600伏
1400伏
440伏
650 V
900 V
1000伏
1250伏
360伏
4500伏
380伏
442 V
390伏
445 V
1500伏
4000伏
950伏
425伏
435伏
600 V
3600伏
300伏
1700伏
1100伏
320伏
330伏
1300伏
500 V
395 V
415伏
375 V
700 V
270伏
2500伏
250伏
1350 V
3000伏
450伏
460伏
480伏
更多
最大功率:
100瓦
58 W
41瓦
595 W
140瓦
1.25瓦
77 W
298 W
227.2 W
108瓦
463 W
38瓦
480瓦
210瓦
290瓦
125瓦
30瓦
400瓦
250瓦
206 W
178 W
219 W
174 W
197 W
320瓦
99 W
556 W
130瓦
483 W
234 W
238 W
272 W
124 W
147 W
200瓦
115瓦
892 W
60 W
521 W
268 W
139瓦
260 W
208瓦
350瓦
56 W
144瓦
156瓦
45瓦
390瓦
104瓦
781 W
33瓦
348 W
75 W
160瓦
555 W
277 W
469 W
231 W
167 W
319.2 W
270瓦
337 W
520 W
29 W
246 W
166.7 W
227 W
454 W
110瓦
35瓦
138 W
70 W
190瓦
300瓦
176 W
267瓦
150瓦
55 W
278 W
106瓦
420 W
625 W
833 W
89 W
325瓦
2 W
28 W
357 W
187 W
92瓦
164 W
500 W
85 W
66 W
141 W
33.3 W
216瓦
201 W
455 W
更多
制造厂商:
英飞凌 (Infineon)
上海陆芯 (luxin-semi)
罗姆 (Rohm)
达尔科技 (Diodes rporated)
东芝 (Toshiba)
艾赛斯.力特 (IXYS)
无锡新洁能 (NCE)
威恩半导体有限公司 (WeEn)
萨科微 (Slkor)
意法半导体 (STMicroelectronics)
安盛美 (onsemi)
微芯 (Microchip)
基因半导体公司 (GeneSiC)
瑞萨电子 (Renesas)
力特 (Littelfuse)
三垦电气株式会社 (Sanken)
赛米奇公司 (SemiQ)
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
美国微芯 (MICROCHIP)
微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
HPM F2
PG-TO220-3-31
TO-218 Isolated
PG-TO247AD
ISOPLUS i4 PAC
超级247（至274AA）
TO-247N
DPAK (TO-263)
TO-268HV
TO-247
TO-220AB Full-Pak
8-TSSOP
24-SMPD
TO-264AA
PG-TO247-3-32
LPDS
TO-252
7-SIP
I2PAK (TO-262)
等值线247
TO-252（DPak）
PG-TO263-3-2
PG-TO220-3-1
TO-263（D2Pak）
PG-HSIP247-3-2
TO-252AA
DPAK-6
TO-268AA
最大247
TO-220-3
TO-264 (L)
TO-247-4
TO-220
TO-247-3
超220（至273AA）
TO-264 (IXYK)
Die
PG-TO247-3-AI
PG-TO263-3-901
TO-263AB
TO-263AA
TO-247-4L
PG-TO252-3
TO-220FL
PG-TO274-3-903
TO-263HV
TO-220FP
PG-TO220 Full Pack
D3PAK
8-ECH
TO-247 (IXTH)
TO220 Full Pack
TO-220F
TO-247 (IXXH)
TO-247 Long Leads
PG-TO247-4-3
T-MAX[B2]
PG-TO247-4-2
PG-TO220-3
至263AB（DPAK）
DPAK
SOT-227B
D2PAK (TO-263)
D2PAK
PG-TO247-3
TO-220F-3
PG-TO247-4
D-Pak
TO-220NFM
PG-TO220-3-111
TO-220AB
TO-247 [B]
TO-268HV (IXYT)
PG-TO251-3
SUPER-247 (TO-274AA)
TO-252-3 (DPAK)
TO-247PLUS-HV
PG-TO247-3-46
TO-3P
PG-TO247-3-41
TO-220AC
TO-3PF
TO-247AD
PG-TO247-3-1
TO-247AC
TO-264-3
TO-263
ISOPLUSi5 Pak
TO-262
TO-3PN
8-SOIC
TO-268
I-PAK
TO-264 (IXGK)
TO-247 (IXYH)
TO-3PFM
PLUS247-3.
TO-264 [L]
TO-252，（D-Pak）
TO-218-5
更多
IGBT型:
场截止
NPT, Trench Field Stop
沟槽
NPT
PT
场终止沟道
NPT and Trench
更多

类别

二极管	整流器	齐纳	晶闸管	晶体管
双极 (BJT)	FET、MOSFET	IGBT

当前"单绝缘栅双极晶体管（IGBT）"共 4525 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
STGD10NC60HT4 意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥10.64706	1651	5-7 工作日	- + 合计: ¥10.64706	添加到BOM 立即询价
AOT5B65M1 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)	集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 83 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥11.44378	875	5-7 工作日	- + 合计: ¥11.44378	添加到BOM 立即询价
FGPF30N45TTU	IGBT型: 沟槽集电极击穿电压: 450伏最大功率: 50.4 W 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.80833	2543	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,185.47265	添加到BOM 立即询价
IRGP4069-EPBF	IGBT型: 沟槽集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 76 A 最大功率: 268 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥18.25211	7725	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,190.25296	添加到BOM 立即询价
FF225R12ME4_B11 英飞凌 (Infineon)	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	¥687.20635	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,748.82541	添加到BOM 立即询价
STGB19NC60KT4 意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 125瓦供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥20.13526	2840	5-7 工作日	- + 合计: ¥20.13526	添加到BOM 立即询价
STGD7NB60KT4 意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥11.51621	1255	5-7 工作日	- + 合计: ¥11.51621	添加到BOM 立即询价
FGH30N6S2	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 45 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.88076	10491	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,181.19934	添加到BOM 立即询价
FS100R12PT4 英飞凌 (Infineon)	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO	¥848.94031	1611	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,546.82093	添加到BOM 立即询价
MGW12N120D 安盛美 (onsemi)	TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A	¥18.54182	540	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,187.93523	添加到BOM 立即询价
FGP5N60LS 安盛美 (onsemi)	IGBT型: 场截止集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 83 W 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.04614	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥4.04614	立即购买加入购物车
IRGIB7B60KDPBF 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 39 W 供应商设备包装: TO-220AB Full-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥17.21348	10	2-3 工作日	- + 合计: ¥5,456.67189	立即购买加入购物车
FF225R17ME4_B11 英飞凌 (Infineon)	FF225R17 - IGBT MODULE	¥924.55619	36	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,773.66856	添加到BOM 立即询价
IRGP4740D-EPBF	集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 250瓦供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥18.61425	5100	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,177.86760	添加到BOM 立即询价
STGFL6NC60D 意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 7 A 最大功率: 22 W 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥11.87836	492	5-7 工作日	- + 合计: ¥11.87836	添加到BOM 立即询价
RJP4005ANS-01#Q1 瑞萨电子 (Renesas)	IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL	¥6.95318	744000	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,183.29978	添加到BOM 立即询价
IGW30N60TPXKSA1 英飞凌 (Infineon)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 53 A 最大功率: 200瓦供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥8.43798	4	2-3 工作日	- + 合计: ¥8.43798	立即购买加入购物车
RGPR30NS40HRTL 罗姆 (Rohm)	集电极击穿电压: 430伏最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 125瓦供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥12.02321	530	5-7 工作日	- + 合计: ¥12.02321	添加到BOM 立即询价
RGT16NS65DGTL 罗姆 (Rohm)	IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 94瓦供应商设备包装: LPDS 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥12.31293	878	5-7 工作日	- + 合计: ¥12.31293	添加到BOM 立即询价
STGBL6NC60DT4 意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 56 W 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥12.38536	957	5-7 工作日	- + 合计: ¥12.38536	添加到BOM 立即询价

会员中心微信客服

客服