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什么是结栅场效应晶体管 (JFET):

结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或压控电阻器的器件。在栅极和源极端子之间施加的适当极性的电势差增加了对电流流动的阻力,这意味着更少的电流在源极端子和漏极端子之间的沟道中流动。由于电荷流过源极端子和漏极端子之间的半导体沟道,JFET 不需要偏置电流。

工作温度:
  • -65摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度
  • -65摄氏度 ~ 135摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~175摄氏度(TA)
  • -50摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • -20摄氏度~80摄氏度(TA)
  • -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 125摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 135摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~85摄氏度(TA)
更多
最大功率:
  • 150 mW
  • 100 mW
  • 429 W
  • 700 mW
  • 30 mW
  • 190瓦
  • 460毫瓦
  • 250毫瓦
  • 400毫瓦
  • 254 W
  • 238 W
  • 310 mW
  • 125毫瓦
  • 350毫瓦
  • 1.8瓦
  • 330毫瓦
  • 68 W
  • 325毫瓦
  • 1 W
  • 200毫瓦
  • 625 mW
  • 225毫瓦
  • 190毫瓦
  • 300毫瓦
  • 360毫瓦
  • 500 mW
更多
电阻-RDS(On):
  • 300欧姆
  • 18欧姆
  • 12欧姆
  • 55 mOhms
  • 6 Ohms
  • 70 mOhms
  • 90 mOhms
  • 150欧姆
  • 85 Ohms
  • 200欧姆
  • 175欧姆
  • 45毫欧姆
  • 40欧姆
  • 100毫欧姆
  • 60 Ohms
  • 125欧姆
  • 375 Ohms
  • 25欧姆
  • 100欧姆
  • 80 Ohms
  • 17毫欧姆
  • 250欧姆
  • 7 Ohms
  • 500 mOhms
  • 8 Ohms
  • 75 Ohms
  • 400欧姆
  • 5 Ohms
  • 30欧姆
  • 10欧姆
  • 3欧姆
  • 50 Ohms
更多
击穿电压(V(BR)GSS):
  • 20伏
  • 40伏
  • 30伏
  • 1200伏
  • 1700伏
  • 50 V
  • 15伏
  • 35伏
  • 25伏
  • 6.5 V
  • 22伏
更多
制造厂商:
  • 美高森美 (Microsemi)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • NTE电子 (NTE)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 哈利斯 (HARRIS)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 英诺赛科 (Innoscience)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 威世达勒 (Vishay Dale)
  • 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 德州仪器 (Texas)
  • 微芯 (Microchip)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 中央半导体 (Central)
  • 固态公司 (Solid State )
  • 美国微芯 (MICROCHIP)
更多
场效应管类型:
  • P-通道
  • n通道
  • 2 N通道
  • 2个N通道(双通道)
供应商设备包装:
  • TO-206AA (TO-18)
  • SMini3-G1
  • 3英里/小时
  • TO-236
  • ECSP1006-3
  • SC-59-3/CP3
  • TO-18 (TO-206AA)
  • SSSMini3-F1
  • UB
  • 3-SPA
  • SC-70-5
  • SSSMini3-F2
  • SOT-23
  • SC-70FL/MCPH3
  • SMini3-F2-B
  • SOT-623F
  • TO-206AF (TO-72)
  • PG-TO247-3
  • SOT-223-4
  • 6-TSSOP
  • VTFP
  • 3-UB (3.09x2.45)
  • Mini3-G1
  • SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
  • TO-71
  • TO-72
  • 5-MCPH
  • SOT-23-3
  • SSMini3-F3-B
  • TO-78-6
  • TO-236AB
  • TO-72-4
  • SMV
  • SMini3-F2
  • 3mcph
  • 3-MPAK
  • SC-88AFL/MCPH5
  • SC-70
  • SOT-23 (TO-236AB)
  • 4-md
  • 3-VTFP
  • TO-206AC (TO-52)
  • 3-CP
  • TO-236 (SOT-23)
  • SC-70-3(SOT323)
  • TO-247-3
  • 8-SOIC
  • SMCP
  • Die
  • SSMini3-F1
  • SSMini3-F3
  • SOT-23-3 (TO-236)
  • TO-92 (TO-226)
  • NS-A1
  • 6-CPH
  • 3-USFP
  • USM
  • TO-92
  • S-Mini
  • SC-59
  • D2PAK-7
  • SOT-323
  • USV
  • TO-18
  • TO-92-3
更多
当前"结栅场效应晶体管 (JFET)"共 528 条相关库存
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
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数量
操作
MMBFJ271
MMBFJ271
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 225毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥71.72881

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.72881

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MMBF4119
MMBF4119
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 225毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.72429

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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MMBF5434
MMBF5434
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 350毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥252.67856

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥252.67856

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MMBF5458
MMBF5458
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 350毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥181.80051

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥181.80051

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MV2N5116
MV2N5116
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥554.08185

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥55,408.18500

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MMBF5461
MMBF5461
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 225毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥195.45305

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥195.45305

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MV2N4092
MV2N4092
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥555.82015

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥55,582.01460

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MMBFJ305
MMBFJ305
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 225毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥67.71773

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.71773

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2N2608
2N2608
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥581.64539

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥58,164.53940

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MX2N4858
MX2N4858
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥587.21812

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥58,721.81180

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2N4392
2N4392
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥2.62193

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.62193

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MQ2N2608
MQ2N2608
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥620.33067

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥62,033.06720

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2N4117A
2N4117A
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥80.30157

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥80.30157

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MQ2N2609
MQ2N2609
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥620.33067

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥62,033.06720

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MX2N5114
MX2N5114
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 75 Ohms 供应商设备包装: TO-18 (TO-206AA) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥609.49004

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥60,949.00350

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2N4117A-E3
2N4117A-E3
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥83.75507

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥83.75507

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2N4118A
2N4118A
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥101.22894

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥101.22894

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2N4119A
2N4119A
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥117.13330

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥117.13330

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2N4338
2N4338
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 50 V 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥91.91749

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥91.91749

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2N4338-E3
2N4338-E3
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 50 V 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥50.14042

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