Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 89A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,064.56144 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,516.49154 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V(1千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,071.77718 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,574.21745 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 800V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,080.37813 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,643.02500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 800V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,080.37813 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,643.02500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 175A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,135.04522 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,945.31651 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(相位支路) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 89A (Tc) 供应商设备包装: SP1F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥970.69346 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥970.69346 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,163.76505 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,982.59032 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,168.59020 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,180.13141 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 208A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,169.36621 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,185.56344 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,173.81545 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,216.70812 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 104A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,179.11305 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,253.79134 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,180.34434 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,262.41039 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 278A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,190.92933 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,336.50532 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 99A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,220.41829 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,542.92805 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,230.24792 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,611.73545 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V(1千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,254.34614 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,780.42296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 108A(Tc) 供应商设备包装: SP3X 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度(TC) | ¥1,750.17436 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,750.17436 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V(1千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,280.91896 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,685.51377 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V(1千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,290.58823 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,743.52939 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,294.74080 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,768.44482 | 添加到BOM 立即询价 |