品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DUAL 1.5A-PEAK LOW-SIDE MOSFET D | ¥3.04202 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,196.33700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | HIGH-SIDE MOSFET DRIVER | ¥3.40416 | 931 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥622.38240 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥622.38240 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1700伏（1.7千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.09756 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.09756 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1700伏（1.7千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥906.66622 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥906.66622 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 900V 漏源电流 (Id) @ 温度: 59A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.40128 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.40128 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥772.02071 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥772.02071 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 供应商设备包装: 8-VDFN (6x5) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥10.75571 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,493.83310 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N和2个P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 供应商设备包装: 12-DFN（4x4） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.90637 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45,891.01440 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247 | ¥296.27083 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,962.70825 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-268 | ¥303.18779 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,031.87794 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247 | ¥305.17959 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,051.79592 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 800V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥392.01291 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,272.20654 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（双降压斩波器） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥409.47945 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,961.15068 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥419.80609 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,976.31569 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227 | ¥422.10716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,376.85726 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 800V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥444.98770 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,009.77855 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥448.58901 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,177.42419 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥458.80389 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,882.05837 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥462.60402 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,939.06035 | 添加到BOM 立即询价 |