品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 264A（Tc） 供应商设备包装: SP6C LI 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11,708.72728 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,708.72728 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 147A（Tc） 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13,743.11303 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,743.11303 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 733A (Tc) 供应商设备包装: D3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10,073.93232 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,073.93232 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 388A (Tc) 供应商设备包装: SP6C LI 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14,190.43454 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,190.43454 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 947A（Tc） 供应商设备包装: SP6C LI 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11,940.50008 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,940.50008 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (Three Level Inverter) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 219A（Tc） 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14,357.31095 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,357.31095 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 89A (Tc) 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2,938.66182 | 3 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,938.66182 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 254A（Tc） 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2,966.25727 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,966.25727 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A（Tc） 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19,316.30730 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,316.30730 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥52.22131 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.22131 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 337A (Tc) 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3,834.89826 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,834.89826 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 631A (Tc) 供应商设备包装: SP6C LI 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22,277.85668 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,277.85668 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,863.52574 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,863.52574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 495A (Tc) 供应商设备包装: SP6C LI 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7,085.29450 | 3 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,085.29450 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 742A (Tc) 供应商设备包装: SP6C LI 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥26,482.14284 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26,482.14284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 251A（Tc） 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8,248.50424 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,248.50424 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 733A (Tc) 供应商设备包装: SP6C 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9,158.21248 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,158.21248 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 805A (Tc) 供应商设备包装: SP6C LI 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10,182.57582 | 3 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,182.57582 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N and 6 P-Channel 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 供应商设备包装: 56-QFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥62.14408 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥186,432.24600 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1700伏（1.7千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 280A（Tc） 供应商设备包装: SP6C LI 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.83586 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.83586 | 添加到BOM 立即询价 |