品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥465.32250 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,979.83752 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 800V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥503.34534 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,046.83470 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（双降压斩波器） 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥504.75770 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,066.60781 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥504.75770 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,066.60781 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥508.12565 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,113.75910 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥520.07404 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,801.11066 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥539.74091 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,016.63180 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥539.74091 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,016.63180 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 800V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥548.63418 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,680.87845 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥584.02610 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,176.36539 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥591.39952 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,688.19371 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 3 N通道（相支路+升压斩波器） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥609.49004 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,313.88042 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥638.07537 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,656.90445 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 139A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥640.30256 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,683.63076 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥647.67221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,772.06657 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥649.28376 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,791.40511 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 3 N通道（相支路+升压斩波器） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥671.63412 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,387.97529 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥683.06580 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,196.78964 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥696.50363 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,661.53991 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥704.66174 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,637.29393 | 添加到BOM 立即询价 |