品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 耗尽型 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A 供应商设备包装: 8-DFN (5x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.88756 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.88756 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N and 6 P-Channel 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 供应商设备包装: 56-QFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥75.10887 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.10887 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,013.93357 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,013.93357 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 800V 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,732.89280 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,664.46399 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 104A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,757.69249 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,788.46243 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 139A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,789.47433 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,947.37166 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,826.77527 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,133.87633 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 317A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,831.09204 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,155.46018 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,832.69996 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,163.49980 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,838.59568 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,192.97840 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 175A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,879.67741 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,398.38704 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (Three Level Inverter) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Tc） 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,880.34738 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,521.38950 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,890.90390 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,890.90390 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,921.28787 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,685.15148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A（Tc） 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1,944.93594 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,944.93594 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 372A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,968.81940 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,875.27760 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,984.24678 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,936.98711 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 495A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,005.66765 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,022.67062 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,030.00380 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,120.01519 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,032.77421 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,131.09683 | 添加到BOM 立即询价 |