品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,086.42599 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,345.70396 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 143A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,191.99126 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.99126 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,198.43744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,793.74975 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 495A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,272.24259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,272.24259 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 208A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,277.91016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,111.64063 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,305.39696 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,221.58785 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,314.54112 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,258.16450 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 278A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,320.75191 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,283.00764 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,330.20390 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,320.81558 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 241A（Tc） 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1,963.47776 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,963.47776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,352.76553 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,411.06212 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,081.65469 | 8 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,081.65469 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 99A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,379.11158 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,516.44631 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 89A (Tc) 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2,071.25211 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,071.25211 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 238A（Tc） 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2,385.81126 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,385.81126 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,449.82039 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,799.28156 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,477.23477 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,908.93906 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,498.40214 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,993.60856 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 73A (Tc) 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,504.49827 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,513.49482 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,526.12434 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,104.49736 | 添加到BOM 立即询价 |