品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A（Tc） 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2,749.25998 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,749.25998 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2,761.28320 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,283.84959 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 353A (Tc) 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2,776.85543 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,776.85543 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 116A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3,530.26189 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,590.78567 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 143A（Tc） 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3,682.76115 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,365.52230 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (Three Level Inverter) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3,862.81964 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,725.63929 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 131A（Tc） 供应商设备包装: D3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5,577.35893 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,154.71786 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | ¥5,849.65576 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,699.31151 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | ¥6,253.26636 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,506.53272 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A (Tc) 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6,525.30968 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,050.61937 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A（Tc） 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6,550.22526 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,100.45052 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | ¥7,401.15737 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,401.15737 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C | ¥7,939.37726 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,939.37726 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双）公共源 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1021A（Tc） 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6,515.78527 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,515.78527 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A (Tc) 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7,964.87227 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,964.87227 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.38536 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.38536 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 295A（Tc） 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8,625.27989 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,625.27989 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 147A（Tc） 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8,625.27989 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,625.27989 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 495A (Tc) 供应商设备包装: D3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7,170.90557 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,170.90557 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 250A（Tc） 供应商设备包装: D3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9,922.70057 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,922.70057 | 添加到BOM 立即询价 |