品牌介绍
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒，提供卓越的技术支持，以及可靠的交付和质量。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,308.00741 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,848.04444 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 150伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.67508 | 2902 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.67508 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,324.75053 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,948.50317 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,392.61650 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,355.69901 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 240伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 | 3275 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,394.39101 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,366.34607 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（相位支路） 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,406.66773 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,440.00637 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,431.08840 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,586.53038 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.25451 | 3231 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.25451 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1000V（1千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,465.93884 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,795.63305 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 供应商设备包装: SP1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,495.69507 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,982.78026 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 278A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,585.70258 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,928.51292 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,691.20266 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,456.01332 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,691.20266 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,456.01332 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 317A 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,729.89424 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,649.47118 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N和2个P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 供应商设备包装: 12-DFN（4x4） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.60025 | 977 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.60025 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 300伏 供应商设备包装: SOT-23-5 工作温度: -25摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥24.71278 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.71278 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（CAS编码） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: 6-LFGA (3x3) 工作温度: -25摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥7.53262 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.53262 | 添加到BOM 立即询价 |