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品牌介绍

Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利桑那州钱德勒,提供卓越的技术支持,以及可靠的交付和质量。

英文全称: Microchip Technology

中文全称: 微芯

英文简称: Microchip

品牌地址: http://www.microchip.com/

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描述
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MSC750SMA170B
MSC750SMA170B
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.92478

0

5-7 工作日

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合计: ¥35.92478

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MSC080SMA120J
MSC080SMA120J
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 供应商设备包装: SOT-227(同位素) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥190.19855

0

5-7 工作日

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合计: ¥190.19855

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MSC035SMA170B
MSC035SMA170B
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 68A (Tc) 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -60摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥267.91487

0

5-7 工作日

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合计: ¥267.91487

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MSC025SMA120S
MSC025SMA120S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 89A (Tc) 供应商设备包装: D3PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥271.10175

0

5-7 工作日

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合计: ¥271.10175

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APTM100UM45DAG
APTM100UM45DAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 215A(Tc) 最大功耗: 5000W (Tc) 供应商设备包装: SP6 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2,757.22717

0

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合计: ¥2,757.22717

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DN2535N5-G
DN2535N5-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Tj) 最大功耗: 15W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.58864

495

5-7 工作日

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合计: ¥11.58864

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DN2540N5-G
DN2540N5-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Tj) 最大功耗: 15W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.02321

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.02321

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TN2435N8-G
TN2435N8-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 365毫安 (Tj) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: TO-243AA (SOT-89) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.37135

0

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合计: ¥11.37135

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TN0610N3-G
TN0610N3-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Tj) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.76391

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合计: ¥8.76391

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TN5325K1-G
TN5325K1-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: TO-236AB (SOT23) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TA)

¥4.63546

0

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合计: ¥4.63546

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LND150N8-G
LND150N8-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SOT-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.43218

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.43218

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LND250K1-G
LND250K1-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13毫安(Tj) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23 (TO-236AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.62145

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合计: ¥3.62145

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MIC94051YM4-TR
MIC94051YM4-TR
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 6 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Ta) 最大功耗: 568mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-143 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.41817

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.41817

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DN3135N8-G
DN3135N8-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 135毫安(Tj) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: TO-243AA (SOT-89) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.57703

0

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合计: ¥5.57703

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LND150N3-G-P003
LND150N3-G-P003
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30毫安 (Tj) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.63546

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.63546

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DN2450K4-G
DN2450K4-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Tj) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.72189

0

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合计: ¥5.72189

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TN2425N8-G
TN2425N8-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 480毫安 (Tj) 最大功耗: 1.6W(Tc) 供应商设备包装: SOT-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.66107

841

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合计: ¥11.66107

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DN3545N3-G
DN3545N3-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 136毫安(Ta) 最大功耗: 740mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.15647

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合计: ¥6.15647

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TP2540N8-G
TP2540N8-G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 125毫安(Tj) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: TO-243AA (SOT-89) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.32694

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合计: ¥13.32694

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DN3525N8-G
DN3525N8-G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 360毫安 (Tj) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: TO-243AA (SOT-89) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.01161

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合计: ¥6.01161

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