品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥101.25574 | 1421 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥101.25574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1050伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Tc） 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.84795 | 562 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.84795 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.35495 | 995 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.35495 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥15.42738 | 233 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.42738 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: IPAK (TO-251) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.15167 | 182 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.15167 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥16.29653 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.29653 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.73110 | 307 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.73110 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.80353 | 941 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.80353 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.09324 | 665 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.09324 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.92783 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.92783 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.30687 | 17 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.30687 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.60025 | 876 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.60025 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.03482 | 336 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.03482 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.17968 | 55 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.17968 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.80833 | 3359 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.80833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥18.61425 | 840 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.61425 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.90397 | 140 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.90397 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.25691 | 1095 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.25691 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP | ¥19.48340 | 190 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.48340 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥18.97640 | 201 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.97640 | 添加到BOM 立即询价 |