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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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IRF7304QTRPBF
IRF7304QTRPBF
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A 供应商设备包装: 8-SO

¥26.39313

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.39313

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IRF7306QTRPBF
IRF7306QTRPBF
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-SO

¥4.04154

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.04154

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IRF7509TR
IRF7509TR
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A,2A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.08452

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.08452

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IRF7307QTRPBF
IRF7307QTRPBF
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A, 4.3A 供应商设备包装: 8-SO

¥6.98216

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.98216

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IRF7530TR
IRF7530TR
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.52053

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.52053

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FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tj) 供应商设备包装: AG-EASY1BM-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2,972.48616

48

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,972.48616

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IRF7309QTRPBF
IRF7309QTRPBF
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A、3A 供应商设备包装: 8-SO

¥2.88267

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.88267

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IRF7555TR
IRF7555TR
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A 供应商设备包装: Micro8

¥7.18496

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.18496

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IRF7313QTRPBF
IRF7313QTRPBF
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A 供应商设备包装: 8-SO

¥59.71047

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥59.71047

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IRF7379TR
IRF7379TR
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A, 4.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.06763

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.06763

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IRF7314QTRPBF
IRF7314QTRPBF
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A 供应商设备包装: 8-SO

¥7.06907

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.06907

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IRFI4019HG-117P
IRFI4019HG-117P
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A 供应商设备包装: TO-220-5 Full-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥141.29449

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥141.29449

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IRF7389TR
IRF7389TR
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.87932

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.87932

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FF3MR12KM1HOSA1
FF3MR12KM1HOSA1
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 375A (Tc) 供应商设备包装: AG-62毫米 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5,927.58936

20

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,927.58936

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FS03MR12A6MA1LBBPSA1
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 400A 供应商设备包装: AG-HYBRIDD-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25,469.51299

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥152,817.07795

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FF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1B11BOMA1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: Module 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,454.80889

48

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,454.80889

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IRF7316QTRPBF
IRF7316QTRPBF
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A 供应商设备包装: 8-SO

¥174.75669

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥174.75669

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IRF7901D1
IRF7901D1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.63066

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.63066

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IRF6723M2DTR1P
IRF6723M2DTR1P
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: DIRECTFET文科硕士 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.99616

9000

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- +

合计: ¥7.99616

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FF3MR12KM1PHOSA1
FF3MR12KM1PHOSA1
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 375A (Tc) 供应商设备包装: AG-62毫米 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5,992.63060

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,992.63060

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