品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-3-10 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥36.59910 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥36.59910 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 29W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.33297 | 40 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.33297 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥25.06043 | 491 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥25.35015 | 348 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.35015 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.2A（Tc） 最大功耗: 151W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.14373 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥25.14373 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 227W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.16088 | 237 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 114W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥50.21358 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥50.21358 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A（Ta） 最大功耗: 1.79W（Ta） 供应商设备包装: PG-SOT223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.81073 | 7941 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,145.70913 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥16.51381 | 215 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥29.40617 | 232 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.05688 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥36.75048 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥36.75048 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-31 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥30.63167 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥30.63167 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 86A (Tc) 最大功耗: 350W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥33.91995 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥27,135.95920 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.95558 | 329990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.98646 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.95558 | 214444 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.98646 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.89573 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.89573 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.89716 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.76716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.35225 | 8505 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.35225 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 127W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥55.82683 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥55.82683 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24.3A（Tc） 最大功耗: 240W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥59.37802 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥59.37802 | 立即购买 加入购物车 |