品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.25931 | 6200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,157.65991 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.66587 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,498.80050 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥0.28972 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.84199 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.11035 | 1016 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.11035 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Ta), 45A (Tc) 最大功耗: 76W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.25931 | 2751 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,157.65991 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Ta）、106A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.14126 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.14126 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 170A (Tc) 最大功耗: 2.8W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMT 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.15769 | 16 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.15769 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 140W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.01377 | 2038 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.01377 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 230W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.26611 | 15760 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.26611 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Tc） 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.05602 | 30235 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.05602 | 15617 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.88461 | 6 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.88461 | 立即购买 加入购物车 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥0.36215 | 47600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,036.70348 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.01377 | 1190 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.01377 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.05602 | 1403 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL MOSFET | ¥1.73830 | 45800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.15886 | 235740 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.05602 | 1249 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta） 最大功耗: 1.7W（Ta） 供应商设备包装: Micro6（TSOP-6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.72501 | 70 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.72501 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A（Ta）、60A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMN 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.33132 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥25.33132 | 立即购买 加入购物车 |