1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A (Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.47152 | 744 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.47152 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、53A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: MG-WDSON-2,CanPAK M 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.82473 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.99126 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A(Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.30205 | 1000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.30205 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.73830 | 3690 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Tc) 最大功耗: 82W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.82738 | 785 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.82738 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.47998 | 57 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.47998 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.27331 | 24560 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,187.93523 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 76415 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.87681 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.04129 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.04129 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.57801 | 80 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.57801 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.62701 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.62701 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.40416 | 11500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.87681 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.81073 | 160000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,145.70913 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.32473 | 38865 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.32473 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.39331 | 795 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.39331 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 260459 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.14772 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.23129 | 54000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,131.36818 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥28.56600 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥28.56600 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.22477 | 8 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.22477 | 立即购买 加入购物车 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.89716 | 15051 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.76716 | 添加到BOM 立即询价 |