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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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IRLZ34NSTRLPBF
IRLZ34NSTRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 68W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.47299

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥9.47299

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IRF9Z24NPBF
IRF9Z24NPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.22937

2048

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.22937

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IPS135N03LG
IPS135N03LG
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥1.15886

2861

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.02886

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IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: Micro6(TSOP-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.99760

3799

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.99760

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IRFB4020PBF
IRFB4020PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.69077

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥11.69077

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IRFS4410ZTRLPBF
IRFS4410ZTRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 97A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.61038

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥14.61038

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BSC091N03MSCG
BSC091N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥1.73830

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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IRF2807ZPBF
IRF2807ZPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.24558

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥15.24558

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BSC889N03MSG
BSC889N03MSG
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥1.73830

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.87000

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IRFP250MPBF
IRFP250MPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.29746

365

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.29746

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SPU01N60C3
SPU01N60C3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Tc) 最大功耗: 11W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.82473

148355

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,191.99126

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BUZ102SL
BUZ102SL
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥2.82473

123056

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,191.99126

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BSL202SNH6327XTSA1
BSL202SNH6327XTSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.56037

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.56037

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IPD60R360P7ATMA1
IPD60R360P7ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 41W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.59104

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥6.59104

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IRFP150NPBF
IRFP150NPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.20161

450

2-3 工作日

- +

合计: ¥4.20161

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IRFU120NPBF
IRFU120NPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.28369

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.28369

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BSB044N08NN3GXUMA1
BSB044N08NN3GXUMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、90A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: MG-WDSON-2,CanPAK M 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.29173

9526

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.29173

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IRFB3206PBF
IRFB3206PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.02368

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.02368

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IRFS4321TRLPBF
IRFS4321TRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 350W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.13548

3

2-3 工作日

- +

合计: ¥12.13548

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BSF885N03LQ3G
BSF885N03LQ3G
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥2.82473

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,191.99126

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