1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 68W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.47299 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.47299 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.22937 | 2048 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.22937 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.15886 | 2861 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: Micro6(TSOP-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.99760 | 3799 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.69077 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.69077 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 97A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥14.61038 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.61038 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.73830 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.24558 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.24558 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.73830 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.29746 | 365 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.29746 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Tc) 最大功耗: 11W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.82473 | 148355 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.99126 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.82473 | 123056 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.99126 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.56037 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.56037 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 41W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.59104 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.20161 | 450 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.20161 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.28369 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.28369 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、90A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: MG-WDSON-2,CanPAK M 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥26.29173 | 9526 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.29173 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.02368 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.02368 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 350W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.13548 | 3 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.13548 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.82473 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.99126 | 添加到BOM 立即询价 |