1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.90104 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.90104 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 12946 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.76716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 66W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 1903 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.87681 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.89716 | 12135 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.76716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.19243 | 955 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.19243 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.27331 | 4956 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,187.93523 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.80351 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.80351 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 41400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.14772 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥22.04304 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22.04304 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 9620 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.76716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.92323 | 24 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.92323 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.76898 | 3065 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.76898 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.44907 | 9 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.44907 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.01909 | 1773 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.01908 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 366W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.77939 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18.77939 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.66322 | 18 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.66322 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.30736 | 770 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.30736 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 64W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-344 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.27502 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.27502 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.44378 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.44378 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.24530 | 11915 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.14772 | 添加到BOM 立即询价 |