品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.8A（Tc） 最大功耗: 104W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.64850 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,927.42250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.1W（Ta）、120W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.91095 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,931.65260 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 | 1791 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.21574 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | ¥13.54422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.54422 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.74511 | 4443 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.74510 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、69W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.11445 | 46870 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.88076 | 78346 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.19934 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.34574 | 1250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 107W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.97179 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.97179 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB Full-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.91095 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.91095 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 96W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.69148 | 8500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.56148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.41817 | 42120 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.90281 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) 最大功耗: 2.4W（Ta）、30W（Tc） 供应商设备包装: DirectFET等距SB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.35661 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,179.05626 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.18521 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.18521 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 160A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、54W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.88367 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,045.47269 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.41817 | 14945 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.90281 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 230W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.28350 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,840.15775 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 89A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥31.96726 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,904.92881 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 87A (Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.39523 | 72 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,686.23981 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 560 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.70750 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.70750 | 添加到BOM 立即询价 |