品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 1.8W（Ta） 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.95558 | 116055 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.98646 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.89716 | 1989 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.76716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.49977 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.49977 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 129W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.46218 | 7 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥27.46218 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.16567 | 300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.04047 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.95558 | 23800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.98646 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥45.09864 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥45.09864 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 22W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.45269 | 39 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.45269 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.10576 | 740 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.10576 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.18448 | 4320 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,168.88641 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.3A (Ta), 47A (Tc) 最大功耗: 2.8W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.88341 | 390 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.88341 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 51W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.19369 | 788 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.19368 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.95558 | 5075 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.98646 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | RF N-CHANNEL MOSFET | ¥0.50700 | 9777 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,282.02050 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 88A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.53703 | 3139 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.53703 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.60265 | 15452 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.25776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.72189 | 3249 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.76236 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、68A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMN 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 | 4674 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.36656 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 214W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.32934 | 7459 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.28577 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.46935 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.46935 | 立即购买 加入购物车 |