品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Tc） 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.74750 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 163A (Tc) 最大功耗: 2.8W（Ta），57W（Tc） 供应商设备包装: MG-WDSON-2，CanPAK M 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.37837 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16.37837 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥9.63306 | 490 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.07088 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-5-12 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.08167 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20.08167 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 99W（Tc） 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.25691 | 664 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.25691 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.98556 | 25 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.98556 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.69388 | 5031 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.47025 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 160A, 40V N-CHANNEL, MOSFET | ¥15.49981 | 393 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.44618 | 10696 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.91682 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 99W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.61905 | 955 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.61905 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A（Tc） 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.03335 | 181 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.03335 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.86651 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.86651 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 150A (Tc) 最大功耗: 2.8W（Ta）、89W（Tc） 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.14927 | 2000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.14927 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.64297 | 19 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.64297 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.05363 | 546 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.05363 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.41577 | 153 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.41577 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 92W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.85008 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.85008 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.69388 | 1021 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.47025 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET HIGH POWER | ¥16.43921 | 13 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥16.43921 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.49981 | 4457 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.49981 | 添加到BOM 立即询价 |