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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

久芯自营
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描述
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操作
BTS112A
BTS112A
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥16.15167

3397

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.47505

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IPBE65R099CFD7AATMA1
IPBE65R099CFD7AATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 127W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-3-10 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥70.76965

2

2-3 工作日

- +

合计: ¥70.76965

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IPB60R250CP
IPB60R250CP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.92277

41770

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,173.08729

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IPI90R1K0C3
IPI90R1K0C3
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥6.59104

11990

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,181.63391

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IPP60R105CFD7XKSA1
IPP60R105CFD7XKSA1
MOSFET N CH

¥43.73698

2

2-3 工作日

- +

合计: ¥43.73698

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IPP082N10NF2SAKMA1
IPP082N10NF2SAKMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、77A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.24292

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.24292

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IRF7326D2TRPBF
IRF7326D2TRPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

2145

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.78031

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IRFSL7437PBF
IRFSL7437PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A(Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.41167

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥10.41167

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SPP15P10PH
SPP15P10PH
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 128W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.98360

944

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.99366

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IPA80R600P7XKSA1
IPA80R600P7XKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 28W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.38754

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥15.38754

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IPI45N06S4-09AKSA2
IPI45N06S4-09AKSA2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.85274

97500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,169.17612

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BUZ31H3046
BUZ31H3046
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥4.05602

700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,839.21680

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AUIRFZ24NS
AUIRFZ24NS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.65984

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥3.65984

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IRFZ44ZLPBF
IRFZ44ZLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.43824

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥15.43824

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IPP055N08NF2SAKMA1
IPP055N08NF2SAKMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Ta),99A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.66830

5

2-3 工作日

- +

合计: ¥8.66830

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IPI80N03S4L-03
IPI80N03S4L-03
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.34574

952

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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IPA65R600C6
IPA65R600C6
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 28W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-111 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.34574

890

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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IPI029N06NAKSA1
IPI029N06NAKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Ta)、100A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.70913

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥15.70913

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BUZ30AH3045A
BUZ30AH3045A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.92517

1927

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.92602

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IPP80N03S4L03AKSA1
IPP80N03S4L03AKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.16567

576

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.16567

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