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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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操作
SPA08N50C3
SPA08N50C3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 560 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-111 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.43218

720

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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BSC0402NSATMA1
BSC0402NSATMA1
150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,

¥25.13286

9975

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.13286

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IRF3808PBF
IRF3808PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A(Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.60890

35

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.60890

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IRFS4115TRL7PP
IRFS4115TRL7PP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.38977

800

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.38977

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ISC037N03L5ISATMA1
ISC037N03L5ISATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、78A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.06496

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.06496

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SPP07N60C3XKSA1
SPP07N60C3XKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.29413

500

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.29413

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IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.77958

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.77958

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IPI041N12N3G
IPI041N12N3G
IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL P

¥19.19369

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,188.08009

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IRF7580MTRPBF
IRF7580MTRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 114A(Tc) 最大功耗: 115W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距ME 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.42159

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥18.42159

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IQE065N10NM5ATMA1
IQE065N10NM5ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、85A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.62826

4797

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.62826

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IPI147N12N3G
IPI147N12N3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Ta) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.72189

15175

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.76236

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AUIRFB8405
AUIRFB8405
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 163W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.78251

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.78251

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BSC0302LSATMA1
BSC0302LSATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、99A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.04663

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥10.04663

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IRF7606TR
IRF7606TR
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.72189

2176

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.72189

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IRF8301MTRPBF
IRF8301MTRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Ta), 192A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMT 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.19221

24

2-3 工作日

- +

合计: ¥10.19221

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IPD038N06N3G
IPD038N06N3G
IPD038N06N3G

¥20.13526

75

5-7 工作日

- +

合计: ¥181.21736

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AUIRFR8403TRL
AUIRFR8403TRL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 99W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.97179

20

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,501.39266

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AUIRFS4115-7TRL
AUIRFS4115-7TRL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.12969

138

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,618.87726

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IPI100N04S3-03
IPI100N04S3-03
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥6.01161

722

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,182.21334

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IPDD60R102G7XTMA1
IPDD60R102G7XTMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 139W(Tc) 供应商设备包装: PG-HDSOP-10-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.56984

204

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.40262

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