1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 560 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-111 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.43218 | 720 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
150V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, | ¥25.13286 | 9975 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.13286 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A(Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.60890 | 35 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.60890 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥33.38977 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.38977 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、78A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.06496 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.06496 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.29413 | 500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.29413 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.77958 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.77958 | 立即购买 加入购物车 | ||
IPI041N12 - 12V-300V N-CHANNEL P | ¥19.19369 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,188.08009 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 114A(Tc) 最大功耗: 115W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距ME 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.42159 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥18.42159 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、85A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥19.62826 | 4797 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.62826 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Ta) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.72189 | 15175 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.76236 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 163W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.78251 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.78251 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、99A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.04663 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.04663 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.72189 | 2176 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.72189 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Ta), 192A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMT 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.19221 | 24 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10.19221 | 立即购买 加入购物车 | ||
IPD038N06N3G | ¥20.13526 | 75 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥181.21736 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 99W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.97179 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,501.39266 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 380W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.12969 | 138 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,618.87726 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥6.01161 | 722 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.21334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 139W(Tc) 供应商设备包装: PG-HDSOP-10-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.56984 | 204 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.40262 | 添加到BOM 立即询价 |