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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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IKW75N60TFKSA1
IKW75N60TFKSA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 428 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥88.62617

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥88.62617

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IKP20N60H3XKSA1
IKP20N60H3XKSA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 170瓦 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.24171

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥14.24171

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IGW40T120FKSA1
IGW40T120FKSA1
IGBT型: NPT, Trench Field Stop 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 270瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥46.36832

6

2-3 工作日

- +

合计: ¥46.36832

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IHW30N135R3
IHW30N135R3
REVERSE CONDUCTING IGBT

¥14.22143

112

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,251.48619

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IKW40T120FKSA1
IKW40T120FKSA1
IGBT型: NPT, Trench Field Stop 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 270瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥59.31935

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥59.31935

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SGB07N120ATMA1
SGB07N120ATMA1
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 16.5 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.68862

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,688.62000

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IKW40N120H3FKSA1
IKW40N120H3FKSA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 483 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥56.23606

121

2-3 工作日

- +

合计: ¥56.23606

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AIGB30N65F5ATMA1
AIGB30N65F5ATMA1
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 供应商设备包装: PG-TO263-3-2

¥18.26587

50

2-3 工作日

- +

合计: ¥18.26587

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IKW40N60H3FKSA1
IKW40N60H3FKSA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 306瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥40.41538

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.41538

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IRG4PH40KPBF
IRG4PH40KPBF
集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 160瓦 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.24221

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥250.14876

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IKW75N65EL5XKSA1
IKW75N65EL5XKSA1
集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥85.38872

2

2-3 工作日

- +

合计: ¥85.38872

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AIGB30N65H5ATMA1
AIGB30N65H5ATMA1
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 供应商设备包装: PG-TO263-3-2

¥21.54835

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥21.54835

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IKP20N60TAHKSA1
IKP20N60TAHKSA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 166 W 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.83299

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,416.49450

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IKW15N120T2FKSA1
IKW15N120T2FKSA1
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 235瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥38.82194

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.82194

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AIKP20N60CTAKSA1
AIKP20N60CTAKSA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 156瓦 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.83299

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,416.49450

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SGW15N120
SGW15N120
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 198 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.48340

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,928.85670

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IGZ100N65H5XKSA1
IGZ100N65H5XKSA1
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 161 A 最大功率: 536 W 供应商设备包装: PG-TO247-4 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥55.69790

5130

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.69790

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IKW30N65EL5XKSA1
IKW30N65EL5XKSA1
集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 227 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.97041

1

2-3 工作日

- +

合计: ¥35.97041

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IKW25T120FKSA1
IKW25T120FKSA1
IGBT型: NPT, Trench Field Stop 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 190瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥51.42459

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.42459

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IKQ75N120CS6XKSA1
IKQ75N120CS6XKSA1
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 880 W 供应商设备包装: PG-TO247-3-46 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥80.10647

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥80.10647

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