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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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ECH8659-TL-HX
ECH8659-TL-HX
MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

¥25.17632

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.17632

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ECH8660-S-TL-H
ECH8660-S-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8

¥4.72237

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.72237

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ECH8667-TL-HX
ECH8667-TL-HX
MOSFET 2P-CH 30V 5.5A ECH8

¥2.39016

18000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92161

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EFC6601R-A-TR
EFC6601R-A-TR
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 供应商设备包装: EFCP2718-6CE-020 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥12.64610

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.64610

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EFC6602R-A-TR
EFC6602R-A-TR
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 供应商设备包装: EFCP2718-6CE-020 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥9.41577

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.41577

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EFC6604R-TR
EFC6604R-TR
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 供应商设备包装: 6-EFCP (1.9x1.46) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.01401

1293000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.00085

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EMH2407-S-TL-H
EMH2407-S-TL-H
MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

¥1.66587

12000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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EMH2407-S-TL-HX
EMH2407-S-TL-HX
MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

¥5.50460

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.50460

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MCH6603-TL-H
MCH6603-TL-H
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140毫安 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.86915

106500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.43179

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NTLUD3A50PZTBG
NTLUD3A50PZTBG
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.53502

13389

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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NTZD3158PT1G
NTZD3158PT1G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 430毫安 供应商设备包装: SOT-563

¥0.65186

164000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,217.63112

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NVMFD5483NLT3G
NVMFD5483NLT3G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.27331

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.27331

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NVMFD5483NLWFT1G
NVMFD5483NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.43122

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.43122

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NVMFD5485NLT3G
NVMFD5485NLT3G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.73446

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.73446

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NVMFD5485NLWFT3G
NVMFD5485NLWFT3G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.76679

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.76679

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NVMFD5489NLT3G
NVMFD5489NLT3G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.14246

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.54508

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NVMFD5489NLWFT3G
NVMFD5489NLWFT3G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.57703

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.04287

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NVMFD5853NLWFT1G
NVMFD5853NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.26995

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.26995

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NVMFD5853NWFT1G
NVMFD5853NWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.03807

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NVMFD5873NLWFT1G
NVMFD5873NLWFT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.41721

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.41721

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