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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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HUFA76413DK8T-F085
HUFA76413DK8T-F085
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.70789

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FW276-TL-2H
FW276-TL-2H
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.67987

21985

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,149.25815

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MCH6661-TL-W
MCH6661-TL-W
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A 供应商设备包装: SC-88FL/MCPH6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥3.09996

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.09996

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MCH6664-TL-W
MCH6664-TL-W
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: SC-88FL/MCPH6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥14.44234

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.44234

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FDMS3600AS
FDMS3600AS
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A、30A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.41145

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.41145

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FDMS3602AS
FDMS3602AS
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A、26A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.72045

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.72045

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FDMS3610S
FDMS3610S
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A,30A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.28732

14386

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.66192

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FPF1C2P5BF07A
FPF1C2P5BF07A
场效应管类型: 5 N-Channel (Solar Inverter) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 650V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A 供应商设备包装: F1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥467.90583

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥467.90583

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FDMD85100
FDMD85100
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.4A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥270.58026

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥270.58026

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ECH8601M-TL-H
ECH8601M-TL-H
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.23129

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥868.06157

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VEC2616-TL-H
VEC2616-TL-H
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A,2.5A 供应商设备包装: SOT-28FL/vc8 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.81073

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥195.55830

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NTMD6N03R2
NTMD6N03R2
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.44858

68550

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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NTMD2P01R2
NTMD2P01R2
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 16伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.16951

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.16951

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NTL4502NT1
NTL4502NT1
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A 供应商设备包装: 16-QFN-FBIP(10.5x10.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.02321

912

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.20173

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NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A, 3.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥786.54273

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥786.54273

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NTMC1300R2
NTMC1300R2
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A、1.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.81073

20000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.49145

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NTQD6866R2
NTQD6866R2
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.44858

7960

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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NTQD6968R2
NTQD6968R2
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.89716

20040

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,201.84160

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NTHD5902T1
NTHD5902T1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.05267

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.05267

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NTHD5905T1
NTHD5905T1
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.08644

408000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,239.14254

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